[實用新型]電化學電鍍設備以及晶片邊緣檢測系統

有效

• 申請號: 201520505814.0
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN204779879U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 陳俊鑫;付鵬;林德耀;劉耀鴻;林俊鴻;梁立群;羅志明
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;H01L21/66
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本實用新型涉及一種電化學電鍍設備，尤其是涉及一種用于晶片邊緣檢測系統的電化學電鍍設備。

背景技術

在半導體制作工藝中，電化學電鍍(ElectroChemicalPlating，簡稱ECP)制作工藝屬于金屬化制作工藝的其中一階段，主要是使用電流以提供電子將金屬離子轉換成金屬原子，并于某一界面的金屬薄膜沉積的制作工藝，通常是以物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition,簡稱PVD)將銅種層增長為銅金屬層。

電化學電鍍制作工藝主要包括電鍍(PlatingCell)、晶片斜邊清洗(EdgeBevelRemove,EBR)及回火(Anneal)等制作工藝所組成，其中晶片斜邊清除(EBR)主要是將晶片邊緣殘余的銅通過例如是過氧化氫(H₂O₂)與硫酸(H₂SO₄)的化學調劑進行清洗，以避免晶片邊緣殘余的銅在爾后的化學機械研磨過程中剝離而傷害金屬表面，影響后續制作工藝，故必須通過晶片斜邊清洗(EBR)制作工藝進行殘余銅去除的動作。

然而，在進行晶片斜邊清洗(EBR)制作工藝時會因為化學調劑調制不夠精確、機臺輸送化學調劑的輸送管損壞、晶片水平偏移以及化學調劑流量過多或過少等因素，產生晶片斜邊清洗異常的情況，導致大量不良晶片(BadDie)的產生，因此必須對于晶片斜邊清洗制作工藝是否發生異常進行檢測與監控，以防止大量不良晶片產生的情況。

目前檢測晶片斜邊清洗異常的方式，例如是通過定時檢測晶片斜邊清洗的數據或是抽樣裸視檢測的方式，但這樣的檢測方式，不但無法達到即時檢測與監控的功效，同時也耗費相當多的人力成本。因此，如何針對上述的問題進行改善，實為本領域相關人員所關注的焦點。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種電化學電鍍設備，其具有用以檢測晶片的待測邊緣的檢測裝置，以在電化學電鍍制作工藝中達成即時檢測晶片的邊緣是否產生清洗異常的情況。

本實用新型另一目的在于提供一種晶片邊緣檢測系統，其具有用以檢測晶片的待測邊緣的檢測裝置，以在電化學電鍍制作工藝中達成即時檢測晶片的邊緣是否產生清洗異常的情況。

為達上述目的，本實用新型所提供一種電化學電鍍設備，包括電鍍與邊緣金屬清洗模塊、承載平臺、第一機械手臂以及至少一檢測裝置。電鍍與邊緣金屬清洗模塊用以對晶片進行電鍍制作工藝與邊緣金屬清洗制作工藝。承載平臺用以承載晶片。第一機械手臂位于電鍍與邊緣金屬清洗模塊與承載平臺之間，用以抓取晶片于電鍍與邊緣金屬清洗模塊與承載平臺之間移動。檢測裝置配置于承載平臺，用以檢測置放于承載平臺的晶片的待測邊緣，檢測裝置包括影像擷取單元、第一光源以及第二光源。影像擷取單元位于晶片的上方，用以擷取晶片的待測邊緣的影像，且影像擷取單元的光軸與晶片的頂表面之間具有夾角，夾角的范圍介于30度至90度之間。第一光源位于晶片的上方，第一光源的第一發光面面向待測邊緣。第二光源位于晶片的下方，第二光源的第二發光面面向待測邊緣。

在本實用新型的一實施例中，上述的影像擷取單元與晶片的頂表面之間具有間距，間距大于0厘米且小于5厘米。

在本實用新型的一實施例中，上述的第一光源的第一發光面與晶片的頂表面之間具有夾角，夾角的范圍介于20度至70度之間。

在本實用新型的一實施例中，上述的第一光源與晶片的頂表面之間具有間距，間距大于0厘米且小于20厘米。

在本實用新型的一實施例中，上述的第二光源的第二發光面平行于晶片的一與頂表面相對的底表面。

在本實用新型的一實施例中，上述的影像擷取單元的光軸與晶片的頂表面之間的夾角為60度。

在本實用新型的一實施例中，上述的至少一檢測裝置的數量為多個，這些檢測裝置沿著圓形軌跡配置，且這些檢測裝置彼此之間的間距相等。

在本實用新型的一實施例中，上述的第一光源與第二光源所分別發出的光線為波長范圍介于620納米至750納米之間的紅色光線。

在本實用新型的一實施例中，上述的第一光源與第二光源所分別發出的光線為紅外線。

在本實用新型的一實施例中，上述的電化學電鍍設備，還包括加熱模塊、晶片傳送盒以及第二機械手臂。加熱模塊用以對晶片進行熱處理制作工藝。晶片傳送盒用以容置晶片。第二機械手臂位于承載平臺、加熱模塊以及晶片傳送盒之間，用以抓取晶片以使晶片于承載平臺、加熱模塊以及晶片傳送盒之間移動。