[實用新型]一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件

有效

• 申請號: 201520495439.6
• 申請日: 2015-07-10
• 公開（公告）號: CN204857724U
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 高秀秀;陳利;張軍亮;姜帆;高耿輝
• 申請（專利權）人: 廈門元順微電子技術有限公司;大連連順電子有限公司;友順科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件，其特征在于，其包括P型襯底（1）以及在P型襯底（1）上依次設置有相互隔離的齊納二極管（Z）、第一N型阱（2a）、第二N型阱（2b）、第三N型阱（2c）；

所述的齊納二極管（Z）上設有第一N+有源注入區（5a），所述的第一N型阱（2a）上設有第二N+有源注入區（5b），所述的第二N型阱（2b）上設有第三N+有源注入區（5c），所述的第三N型阱（2c）上設有第四N+有源注入區（5d），各個N+有源注入區（5a、5b、5c、5d）之間分別設有SP有源注入區（6a、6b、6c、6d），且各個N+有源注入區與各個SP有源注入區之間相互隔離；

其中，所述的第一N型阱（2a）上設置有多個第二SP有源注入區（6b），且各個第二SP有源注入區（6b）之間設有陽極短路點（3b）。

2.根據權利要求1所述的一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件，其特征在于：所述的齊納二極管（Z）由高摻雜的第一N+有源注入區（5a）和ZP有源注入區（4）形成。

3.根據權利要求1所述的一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件，其特征在于：所述的第一N型阱（2a）上還設有N-有源注入區（3a），所述的第二SP有源注入區（6b）及其之間的陽極短路點（3b）、所述的第一N型阱（2a）及其N-有源注入區（3a）、所述的P型襯底（1）分別形成了寄生PNP晶體管的發射極、基極和集電極。

4.根據權利要求3所述的一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件，其特征在于：所述的第一N型阱（2a）及其N-有源注入區（3a）、所述的P型襯底（1）、所述的第三N型阱（2c）及其第四N+有源注入區（5d）分別形成了寄生NPN晶體管的集電極、基極和發射極。

5.根據權利要求3所述的一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件，其特征在于：所述的第二N型阱（2b）及其第三N+有源注入區（5c）、設于第三N+有源注入區（5c）與第四N+有源注入區（5d）之間的第三SP有源注入區（6c）形成反向二極管。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的一種齊納二極管觸發SCR的ESD保護器件，其特征在于：所述的各個N+有源注入區（5a、5b、5c、5d）與各個SP有源注入區（6a、6b、6c、6d）之間采用場氧隔離區（fox）進行相互隔離。