[實用新型]一種半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520473397.6 | 申請日： | 2015-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN204706565U | 公開（公告）日： | 2015-10-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝將相 | 申請（專利權(quán)）人： | 謝將相 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
單晶硅襯底，其中具有淺溝槽，定義出由所述淺溝槽包圍的NMOS區(qū)域和PMOS區(qū)域；
填充在淺溝槽中的二氧化硅，分別形成包圍NMOS區(qū)域的淺溝槽隔離STI?1和包圍PMOS區(qū)域的PMOS淺溝槽隔離STI?2；
PMOS淺溝槽隔離STI?2的二氧化硅為摻雜的，具有張應(yīng)力；
位于襯底上NMOS區(qū)域、PMOS區(qū)域和包圍NMOS區(qū)域的淺溝槽隔離STI?1上的柵極堆疊結(jié)構(gòu)；
位于NMOS區(qū)域和PMOS區(qū)域的柵極堆疊結(jié)構(gòu)周圍的柵極側(cè)墻；
在柵極側(cè)墻兩側(cè)具有PMOS源漏溝槽，該PMOS源漏溝槽的深度小于淺溝槽隔離STI?2的深度；
在PMOS源漏溝槽中具有SiGe或SiGe:C的第一源漏提升區(qū)；
在NMOS區(qū)域和PMOS區(qū)域襯底上具有Si或Si:C蓋層，同時作為NMOS區(qū)域的第二源漏提升區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述硅襯底還可以是單晶鍺、應(yīng)變硅、絕緣體上硅、鍺硅絕緣體上鍺、或者化合物半導(dǎo)體。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
