[實用新型]用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置

有效

• 申請號: 201520472530.6
• 申請日: 2015-06-30
• 公開（公告）號: CN204857672U
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 靜福印;孫海平;夏正月
• 申請（專利權）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本實用新型具體涉及改善濕法刻蝕晶硅太陽電池效果的裝置，尤其是一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置。

背景技術

太陽能電池是將太陽能直接轉化成電能，并且在使用過程中不會產生任何有害物質，是一種環保無污染產品，因此，太陽能電池在解決能源與環境問題方面倍受青睞，有著極好的市場前景。在太陽能電池生產工藝中刻蝕能有效地去除擴散后硅片四周的N型硅，防止漏電，從而提高電池的轉換效率。目前，晶體硅太陽電池一般采用干法和濕法兩種刻蝕方法，而濕法刻蝕能明顯提高電池轉換效率提高產品質量?，F在濕法刻蝕的生產設備主要有：KUTTLER和RENA。但KUTTLER工藝步驟中，第一步是去除硅片表面磷硅玻璃（PSG），然后是對背面以及周邊進行腐蝕去除PN結，后續還需要堿洗以及酸洗，在刻蝕過程中由于硅片表面沒有磷硅玻璃（PSG）的保護，這就使酸霧對硅片表面的PN結進行腐蝕造成方阻的提升。而RENA刻蝕設備雖然在對背面以及周邊進行腐蝕過程中磷硅玻璃（PSG）仍然存在，但是PSG很容易吸附酸氣到上表面造成過刻易出現“黑邊”，影響電池外觀。

針對上述問題，專利號為201320884387.2的實用新型專利公開了一種濕法刻蝕絕緣清洗機水膜保護裝置。其技術方案是：包括快速接頭、水刀管路、水刀、水刀支架、單向閥，所述的水刀管路的一側連接快速接頭，快速接頭外側連接單向閥，水刀管路的另一側連接水刀，所述水刀管路的端部設有水刀支架，通過水刀支架固定水刀管路的位置。有益效果是：在入料時通過水刀加裝一層水膜，形成保護層，隔絕了酸霧與硅片表面的接觸，從而保護了硅片表面的磷硅玻璃，保證了硅片出料后的方阻提升在一個可控的范圍之內，有效的控制了方阻的提升，對于硅片的質量進行了有力的保障，而且隔絕了酸霧對硅片表面的影響，使整個硅片出料后的外觀得到了極大地改善。但是該保護裝置結構較為復雜，制作成本相對較高，無形中提高了太陽能硅片的制作成本；且水刀本身較為鋒利，在使用過程中控制不當易對硅片表面造成損害，不利于成品率的提高，因此，在改善濕法刻蝕效果上還有待提高。

發明內容

實用新型目的：針對上述現有技術存在的問題和不足，本實用新型的目的是提供一種結構簡單，且噴水膜效果好不會對硅片造成損害的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置。

技術方案：本實用新型公開了一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，包括控制電機、進水口、噴嘴，控制電機與進水口、噴嘴相連接；所述噴嘴底部交叉均勻分布有大噴水孔、小噴水孔；本實用新型結構簡單，通過采用控制電機控制噴嘴噴灑水，可有效在硅片上表面加一層水膜，通過水膜的保護，使硅片上表面不受酸霧腐蝕，從而解決刻蝕過程中出現的“過度腐蝕”以及“黑邊”問題，有效改善濕法刻蝕的效果。

所述的大噴水孔孔徑為1.5-3mm。

所述的小噴水孔孔徑為0.1-1.5mm。

本實用新型通過將大噴水孔、小噴水孔設為交叉分布，可保證噴灑水的均勻性及全面性，保證水膜可全部將硅片覆蓋，提高噴嘴噴灑效果。

所述的噴嘴上設有噴水感應器，感應時間為5-15s。

所述的噴水感應器控制噴嘴上的大噴水孔、小噴水孔噴水，噴水時間為1-4s。

所述噴水采用的溶液為去離子水，水溫為20-25℃。

所述的控制電機帶速為0.1-2.5m/min。

有益效果：本實用新型與現有技術相比，具有以下優點：

1．結構簡單成本低：本實用新型通過采用通用的控制電機控制噴嘴噴灑水，可有效在硅片上表面加一層水膜，無需特殊部件，結構簡單，成本低廉；

2．水膜均勻：本實用新型通過將大噴水孔、小噴水孔設為交叉分布，可保證噴灑水的均勻性及全面性，保證水膜可全部將硅片覆蓋，提高噴嘴噴灑效果。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

1.控制電機、2.進水口、3.噴嘴、31.大噴水孔、32.小噴水孔、4.噴水感應器。

具體實施方式

以下結合具體的實施例對本實用新型進行詳細說明，但同時說明本實用新型的保護范圍并不局限于本實施例的具體范圍，基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。