[實用新型]用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置有效
| 申請號： | 201520472530.6 | 申請日： | 2015-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN204857672U | 公開（公告）日： | 2015-12-09 |
| 發明（設計）人： | 靜福印;孫海平;夏正月 | 申請（專利權）人： | 奧特斯維能源（太倉）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 改善 濕法 刻蝕 效果 噴水 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：包括控制電機（1）、進水口（2）、噴嘴（3），控制電機（1）與進水口（2）、噴嘴（3）相連接；所述噴嘴（3）底部交叉均勻分布有大噴水孔（31）、小噴水孔（32）。
2.根據權利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：所述的大噴水孔（31）孔徑為1.5-3mm。
3.根據權利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：所述的小噴水孔（32）孔徑為0.1-1.5mm。
4.根據權利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：所述的噴嘴（3）上設有噴水感應器（4），感應時間為5-15s。
5.根據權利要求4所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：所述的噴水感應器（4）控制噴嘴（3）上的大噴水孔（31）、小噴水孔（32）噴水，噴水時間為1-4s。
6.根據權利要求5所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：所述噴水采用的溶液為去離子水，水溫為20-25℃。
7.根據權利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于：所述的控制電機（1）帶速為0.1-2.5m/min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
