[實(shí)用新型]可回流焊的正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520458963.6
• 申請(qǐng)日: 2015-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN205016317U
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡成;苗傳榮;陳建華;傅英松;卜建明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞侃電子(上海)有限公司;泰科電子公司
• 主分類號(hào): H01C1/144
• 分類號(hào): H01C1/144;H01C7/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 賀衛(wèi)國

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電氣器件，尤其涉及一種可回流焊的正溫度系數(shù)器件。

背景技術(shù)

正溫度系數(shù)(PositiveTemperatureCoefficient，PTC)芯片廣泛應(yīng)用于電路保護(hù)。PTC芯片在正常工作狀態(tài)時(shí)具有低電阻。一旦電路中電流過大，PTC芯片將發(fā)熱并升溫。當(dāng)超過一定溫度后，其電阻急劇增加，達(dá)到絕緣體狀態(tài)，從而切斷電路。PTC芯片由此起到保護(hù)電路的作用。

常見地，PTC芯片器件的構(gòu)造為簡單的層狀結(jié)構(gòu)：在PTC芯片的兩側(cè)焊接有完全覆蓋它的片狀導(dǎo)電端子。在使用中，通過在將兩個(gè)片狀導(dǎo)電端子焊接至電路中(例如電路板上)，來將PTC芯片器件安裝至電路中。

圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)的一種PTC電路保護(hù)器件的示意圖。如圖1所示，PTC芯片3被夾在導(dǎo)電的上端子1和下端子2之間，通過焊錫(未示出)與上端子1及下端子2結(jié)合，實(shí)現(xiàn)串行連接。上端子1具有外延的彎曲的結(jié)合部103，以及電路結(jié)合部105。當(dāng)安裝時(shí)，下端子2和上端子1的電路結(jié)合部105回流焊至電路中，如電路板上。上端子1和下端子2將PTC芯片3完全覆蓋。

圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的PTC電路保護(hù)器件雖然構(gòu)造簡單易行，但存在如下問題。首先，當(dāng)處于保護(hù)狀態(tài)(即高溫狀態(tài))時(shí)，PTC芯片處于高溫，并且將發(fā)生熱膨脹。但是，完全覆蓋PTC芯片的片狀導(dǎo)電端子牢固焊接在電路上，難以變形，因此大大限制了PTC芯片熱膨脹的空間，并且因此在器件內(nèi)產(chǎn)生很大的內(nèi)應(yīng)力。該應(yīng)力可能導(dǎo)致PTC芯片發(fā)生物理破壞從而燒毀，也可能導(dǎo)致電路結(jié)合部105與電路之間的焊接松脫等，從而對(duì)電路即電子裝置的可靠性產(chǎn)生影響。這在PTC芯片是聚合物正溫度系數(shù)(PolymericPositiveTemperatureCoefficient，PPTC芯片的情況下尤其嚴(yán)重。總之，在存在熱膨脹的情況下，如果使用常規(guī)的PTC芯片器件的構(gòu)造，產(chǎn)生的大應(yīng)力使得產(chǎn)品可靠性大受影響。其次，在PTC芯片器件的制造中，通常使用回流焊將片狀導(dǎo)電端子焊接至PTC芯片，而當(dāng)將制成的芯片器件安裝至電路中時(shí)，也通常使用回流焊技術(shù)。因此，在類似的回流焊條件(如熱風(fēng))下，當(dāng)將圖1所示的PTC電路保護(hù)器件通過回流焊焊接到電路如電路板上以完成安裝時(shí)，在上下端子與PTC芯片之間的焊錫會(huì)產(chǎn)生再熔融，從而存在錫珠的溢出。由于片狀導(dǎo)電端子完全覆蓋PTC芯片，溢出的錫珠將向電阻器件的側(cè)面流淌，可能導(dǎo)致兩個(gè)導(dǎo)電端子之間形成“錫橋”，從而在冷凝后造成端子間短路，影響電路的性能，甚至使PTC芯片器件失效。此外，覆蓋PTC芯片的片狀上端子與PTC芯片之間的結(jié)合力有時(shí)不夠充分，容易產(chǎn)生剝離。

因此，需要一種改進(jìn)的正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件結(jié)構(gòu)，其能夠減輕PTC芯片的熱膨脹對(duì)器件可靠性的不利影響，同時(shí)還可以防止在安裝該器件的回流焊期間產(chǎn)生“錫橋”。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了解決以上問題，本實(shí)用新型提供了以下技術(shù)方案。

[1]一種正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件，所述正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件包括：

導(dǎo)電的片狀上端子，所述片狀上端子由第一芯片結(jié)合部、第一電路結(jié)合部和它們之間的連接部組成，其中所述第一芯片結(jié)合部具有第一平面輪廓；

導(dǎo)電的片狀下端子，所述片狀下端子包括第二芯片結(jié)合部，其中所述第二芯片結(jié)合部具有第二平面輪廓；

夾在所述片狀上端子和片狀下端子之間并且通過焊錫分別與所述第一芯片結(jié)合部的下表面及所述第二芯片結(jié)合部的上表面結(jié)合的正溫度系數(shù)芯片，所述正溫度系數(shù)芯片具有第三平面輪廓，

其特征在于：

所述第一平面輪廓和第二平面輪廓在所述第三平面輪廓的內(nèi)部，并且所述第三平面輪廓具有未被所述第一平面輪廓和/或第二平面輪廓覆蓋的部分，以允許所述正溫度系數(shù)芯片具有自由熱膨脹空間。

[2]根據(jù)[1]所述的正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件，其特征在于

所述第三平面輪廓未被所述第一平面輪廓覆蓋的部分的面積至少為所述第三平面輪廓面積的20％，

和/或

所述第三平面輪廓未被所述第二平面輪廓覆蓋的部分的面積至少為所述第三平面輪廓面積的20％。

[3]根據(jù)[1]所述的正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件，其特征在于所述第三平面輪廓未被所述第一平面輪廓覆蓋的部分和未被所述第二平面輪廓覆蓋的部分是錯(cuò)開的。

[4]根據(jù)[1]所述的正溫度系數(shù)電路保護(hù)器件，其特征在于

在所述第一平面輪廓和第三平面輪廓的邊緣之間具有防溢間隙，和/或，在所述第二平面輪廓和第三平面輪廓的邊緣之間具有防溢間隙。