[實(shí)用新型]集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520449978.6
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN204966493U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·羅維瑞;L·穆安德龍;C·巴龍
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種針對過壓進(jìn)行保護(hù)的部件。

背景技術(shù)

針對過壓進(jìn)行保護(hù)的部件是當(dāng)其上的電壓超過給定閾值時(shí)導(dǎo)通的部件，給定閾值稱作擊穿電壓、并且通常標(biāo)注為V_BR。保護(hù)部件例如是穿通類型。

穿通保護(hù)部件的缺點(diǎn)在于：如果其上的電壓使得流過其中的電流變得小于保持電流Ih，則它們僅恢復(fù)關(guān)斷。已經(jīng)提供了通過只要過壓結(jié)束則短路它們而使得這些部件恢復(fù)關(guān)斷的裝置。該保護(hù)裝置描述在2013年3月29日提交的法國專利申請?zhí)?3/52864(通過引用并入本文)中。

實(shí)用新型內(nèi)容

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供一種集成電路，包括：垂直肖克利二極管，所述垂直肖克利二極管從頂部至底部包括：第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，第二導(dǎo)電類型的襯底，以及所述第一導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有形成在其中的所述第二導(dǎo)電類型的第三區(qū)域，以及第一垂直晶體管，所述第一垂直晶體管從頂部至底部包括：所述襯底的一部分，該部分由垂直壁與所述肖克利二極管分離，所述第二區(qū)域的一部分，第四區(qū)域，所述第四區(qū)域與形成在所述第二區(qū)域的一部分中的第三區(qū)域的導(dǎo)電類型相同，所述第三區(qū)域連接至所述第四區(qū)域。

可選地，所述集成電路進(jìn)一步包括，與所述第一晶體管結(jié)構(gòu)相同的第二晶體管。

可選地，所述第一晶體管位于包含所述肖克利二極管的芯片的角部中。

可選地，所述集成電路進(jìn)一步包括：開關(guān)，所述開關(guān)與所述肖克利二極管并聯(lián)連接；電阻器，所述電阻器具有連接至所述第一晶體管的上主端子的第一端子；以及電壓源，所述電壓源連接至所述電阻器的第二端子，所述第一晶體管的上主端子連接至所述開關(guān)的控制和檢測的電路。

可選地，所述開關(guān)被控制為根據(jù)在所述第一晶體管的上主端子與所述第三區(qū)域之間的電壓來導(dǎo)通和關(guān)斷。

可選地，所述集成電路進(jìn)一步包括：第二晶體管，所述第二晶體管與所述第一晶體管結(jié)構(gòu)相同；以及第二電阻器，所述第二電阻器具有連接至所述第二晶體管的上主端子的第一端子、以及具有連接至所述電壓源的第二端子，所述第二晶體管的上主端子連接至所述開關(guān)的控制和檢測的電路。

可選地，所述開關(guān)被控制為根據(jù)所述第一晶體管的上主端子與所述第三區(qū)域之間的第一電壓而導(dǎo)通，并且所述開關(guān)被控制為根據(jù)所述第二晶體管的上主端子與所述第三區(qū)域之間的第二電壓而關(guān)斷。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種集成電路，包括：垂直肖克利二極管，所述垂直肖克利二極管包括：第一晶體管，所述第一晶體管具有第一發(fā)射極、第一基極和第一集電極；以及第二晶體管，所述第二晶體管具有第二發(fā)射極、連接至所述第一集電極的第二基極、以及連接至所述第一基極的第二集電極；以及垂直第三晶體管，所述垂直第三晶體管具有連接至所述第二發(fā)射極的第三發(fā)射極、連接至所述第二基極的第三基極、以及第三集電極。

可選地，所述集成電路在半導(dǎo)體襯底中實(shí)現(xiàn)，所述半導(dǎo)體襯底具有：第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域形成所述第一發(fā)射極，第二導(dǎo)電類型的第一襯底區(qū)域，所述第一襯底區(qū)域形成所述第一基極；所述第一導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域形成所述第一集電極、第二基極和第三基極；所述第二導(dǎo)電類型的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域被形成在所述第二區(qū)域內(nèi)，所述第三區(qū)域形成所述第二發(fā)射極；所述第二導(dǎo)電類型的第四區(qū)域，所述第四區(qū)域也被形成在所述第二區(qū)域內(nèi)但是與所述第三區(qū)域分離，所述第四區(qū)域形成所述第三發(fā)射極；以及所述第二導(dǎo)電類型的第二襯底區(qū)域，所述第二襯底區(qū)域形成所述第三集電極。

可選地，所述集成電路進(jìn)一步包括，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上的電連接，所述電連接將所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域進(jìn)行電連接。

可選地，所述第一區(qū)域、所述第一襯底區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域以從所述半導(dǎo)體襯底的頂表面至所述半導(dǎo)體襯底的底表面的順序被布置在所述半導(dǎo)體襯底中。

可選地，所述第二襯底區(qū)域由所述第一導(dǎo)電類型的阻擋層區(qū)域與所述半導(dǎo)體襯底中的第一襯底區(qū)域分離。

可選地，所述第二襯底區(qū)域、所述第二區(qū)域以及所述第四區(qū)域以從所述半導(dǎo)體襯底的頂表面至所述半導(dǎo)體襯底的底表面的順序被布置在所述半導(dǎo)體襯底中。

可選地，所述集成電路進(jìn)一步包括：開關(guān)，所述開關(guān)被耦合在所述第一發(fā)射極與所述第二發(fā)射極和所述第三發(fā)射極之間；控制電路，所述控制電路被配置用于響應(yīng)于在所述第三集電極處的信號來選擇性激勵(lì)所述開關(guān)。

可選地，所述集成電路進(jìn)一步包括，被耦合在電源節(jié)點(diǎn)與所述第三集電極之間的電阻器。