[實用新型]集成電路

有效

• 申請號: 201520449978.6
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN204966493U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: M·羅維瑞;L·穆安德龍;C·巴龍
• 申請（專利權）人: 意法半導體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

垂直肖克利二極管，所述垂直肖克利二極管從頂部至底部包括：

－第一導電類型的第一區域，

－第二導電類型的襯底，以及

－所述第一導電類型的第二區域，所述第二區域具有形成在其中的所述第二導電類型的第三區域，以及

第一垂直晶體管，所述第一垂直晶體管從頂部至底部包括：

－所述襯底的一部分，該部分由垂直壁與所述肖克利二極管分離，

－所述第二區域的一部分，

－第四區域，所述第四區域與形成在所述第二區域的一部分中的第三區域的導電類型相同，

所述第三區域連接至所述第四區域。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，進一步包括，與所述第一垂直晶體管結構相同的第二晶體管。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一垂直晶體管位于包含所述肖克利二極管的芯片的角部中。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，進一步包括：

開關，所述開關與所述肖克利二極管并聯連接；

電阻器，所述電阻器具有連接至所述第一垂直晶體管的上主端子的第一端子；以及

電壓源，所述電壓源連接至所述電阻器的第二端子，

所述第一垂直晶體管的上主端子連接至所述開關的控制和檢測的電路。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其特征在于，所述開關被控制為根據在所述第一垂直晶體管的上主端子與所述第三區域之間的電壓來導通和關斷。

6.根據權利要求4所述的集成電路，其特征在于，進一步包括：

第二晶體管，所述第二晶體管與所述第一垂直晶體管結構相同；以及

第二電阻器，所述第二電阻器具有連接至所述第二晶體管的上主端子的第一端子、以及具有連接至所述電壓源的第二端子，

所述第二晶體管的上主端子連接至所述開關的控制和檢測的電路。

7.根據權利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述開關被控制為根據所述第一垂直晶體管的上主端子與所述第三區域之間的第一電壓而導通，并且所述開關被控制為根據所述第二晶體管的上主端子與所述第三區域之間的第二電壓而關斷。

8.一種集成電路，其特征在于，包括：

垂直肖克利二極管，所述垂直肖克利二極管包括：

第一晶體管，所述第一晶體管具有第一發射極、第一基極和第一集電極；以及

第二晶體管，所述第二晶體管具有第二發射極、連接至所述第一集電極的第二基極、以及連接至所述第一基極的第二集電極；以及

垂直第三晶體管，所述垂直第三晶體管具有連接至所述第二發射極的第三發射極、連接至所述第二基極的第三基極、以及第三集電極。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路在半導體襯底中實現，所述半導體襯底具有：

第一導電類型的第一區域，所述第一區域形成所述第一發射極，

第二導電類型的第一襯底區域，所述第一襯底區域形成所述第一基極；

所述第一導電類型的第二區域，所述第二區域形成所述第一集電極、第二基極和第三基極；

所述第二導電類型的第三區域，所述第三區域被形成在所述第二區域內，所述第三區域形成所述第二發射極；

所述第二導電類型的第四區域，所述第四區域也被形成在所述第二區域內但是與所述第三區域分離，所述第四區域形成所述第三發射極；以及

所述第二導電類型的第二襯底區域，所述第二襯底區域形成所述第三集電極。

10.根據權利要求9所述的集成電路，其特征在于，進一步包括，在所述半導體襯底的表面上的電連接，所述電連接將所述第三區域和所述第四區域進行電連接。

11.根據權利要求9所述的集成電路，其特征在于，所述第一區域、所述第一襯底區域、所述第二區域和所述第三區域以從所述半導體襯底的頂表面至所述半導體襯底的底表面的順序被布置在所述半導體襯底中。

12.根據權利要求11所述的集成電路，其特征在于，所述第二襯底區域由所述第一導電類型的阻擋層區域與所述半導體襯底中的第一襯底區域分離。