[實(shí)用新型]晶圓承載裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520419576.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204732386U | 公開(公告)日: | 2015-10-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王泰興;宋坤錠;鐘富全;謝錦煥;吳明璋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晟銘電子(寧波)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 寇闖 |
| 地址: | 315800 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 承載 裝置 | ||
1.一種晶圓承載裝置,其特征在于,包含:
上蓋體,所述上蓋體的本體具有第一靜電屏蔽層,并且所述上蓋體的內(nèi)部鏤空形成中空部;
板體,嵌設(shè)在所述中空部中;以及
下蓋體,所述下蓋體的本體具有第二靜電屏蔽層,所述下蓋體的一端可拆卸地樞接在所述上蓋體的一端,所述下蓋體的一面由中心至鄰近外緣的部分朝另一面凹陷形成容納空間,以容納晶圓組件;
其中,所述上蓋體受外力遠(yuǎn)離所述下蓋體且由第一位置位移至第二位置時(shí),所述上蓋體的一面與所述下蓋體的所述面間具有默認(rèn)角度。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,所述上蓋體的另一端設(shè)有扣卡件,所述下蓋體的另一端對(duì)應(yīng)所述扣卡件設(shè)有扣合件,在所述上蓋體受外力趨近所述下蓋體而由所述第二位置位移至所述第一位置,并且所述扣卡件扣合在所述扣合件時(shí),所述上蓋體與所述下蓋體緊密結(jié)合。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,所述晶圓承載裝置還包含靜電阻隔墊板件,設(shè)置在所述容納空間中并可拆卸地連接在所述下蓋體的內(nèi)壁,所述靜電阻隔墊板件背對(duì)所述下蓋體內(nèi)壁的一面由中心至鄰近外緣的部分朝另一面凹陷形成承載空間,以容納所述晶圓組件。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,所述下蓋體鄰近所述下蓋體的所述另一端的兩側(cè)分別向外延伸形成延伸部,各所述延伸部的內(nèi)圍部分鏤空形成開口。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,所述默認(rèn)角度介于113~117度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于晟銘電子(寧波)有限公司,未經(jīng)晟銘電子(寧波)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520419576.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





