[實(shí)用新型]電機(jī)控制電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520384228.5 | 申請日: | 2015-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN204761334U | 公開(公告)日: | 2015-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周磊 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州希邇邁電子有限公司 |
| 主分類號: | H02P1/22 | 分類號: | H02P1/22;H02H7/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電機(jī) 控制電路 | ||
1.一種電機(jī)控制電路,用于切換直流電機(jī)的正反轉(zhuǎn),該電機(jī)控制電路包括第一開關(guān)器件、第二開關(guān)器件和一個(gè)H橋式電路,
該第一開關(guān)器件具有一個(gè)接地的第一端,一個(gè)耦接于H橋式電路的第二端,以及一個(gè)耦接于來自控制芯片的正轉(zhuǎn)控制信號的控制端;
該第二開關(guān)器件具有一個(gè)接地的第一端,一個(gè)耦接于H橋式電路的第二端,以及一個(gè)耦接于來自控制芯片的反轉(zhuǎn)控制信號的控制端;
該H橋式電路響應(yīng)于第一開關(guān)器件或第二開關(guān)器件的導(dǎo)通動作,并分別控制直流電機(jī)正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn);
其特征在于:所述H橋式電路包括,
第一開關(guān)管,具有一個(gè)耦接于第一開關(guān)器件的第二端與VCC電壓之間的柵極、一個(gè)耦接于VCC電壓的源極以及一個(gè)耦接于電機(jī)的漏極;
第二開關(guān)管,具有一個(gè)耦接于第一開關(guān)器件的第二端與VCC電壓之間的柵極、一個(gè)接地的源極以及一個(gè)耦接于電機(jī)的漏極;
第三開關(guān)管,具有一個(gè)耦接于第二開關(guān)器件的第二端與VCC電壓之間的柵極、一個(gè)耦接于VCC電壓的源極以及一個(gè)耦接于電機(jī)的漏極;
第四開關(guān)管,具有一個(gè)耦接于第二開關(guān)器件的第二端與VCC電壓之間的柵極、一個(gè)接地的源極以及一個(gè)耦接于電機(jī)的漏極;
其中,所述第一開關(guān)管與所述第四開關(guān)管均為PMOS管,所述第二開關(guān)管與所述第三開關(guān)管均為NMOS管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述第二開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的源極與電源地之間耦接有用于測試電機(jī)工作電流大小的檢測單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述檢測單元包括,
一端耦接于第二開關(guān)管的源極和第四開關(guān)管的源極的公共接點(diǎn)的接地電阻,所述接地電阻檢測流經(jīng)自身的電流大小并轉(zhuǎn)換為呈電壓的檢測信號輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述接地電阻并聯(lián)有濾波電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述控制芯片接收該檢測信號,當(dāng)該檢測信號的幅值大于芯片內(nèi)部的第一閾值時(shí),所述控制芯片停止輸出該正轉(zhuǎn)控制信號;
當(dāng)該檢測信號的幅值小于芯片內(nèi)部的第二閾值時(shí),所述控制芯片停止輸出該反轉(zhuǎn)控制信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:該正轉(zhuǎn)控制信號通過一互鎖電路與該反轉(zhuǎn)控制信號互鎖。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述互鎖電路包括,
第一MOS管,具有一個(gè)用于接收該正轉(zhuǎn)控制信號的源極,以及一個(gè)用于輸出該正轉(zhuǎn)控制信號的漏極;
第二MOS管,具有一個(gè)用于接收該反轉(zhuǎn)控制信號的源極,以及一個(gè)用于輸出該反轉(zhuǎn)控制信號的漏極;
第一非門,具有一個(gè)耦接于第一MOS管源極和柵極的輸入端,以及一個(gè)耦接于第二MOS管柵極的輸出端;
第二非門,具有一個(gè)耦接于第二MOS管源極和柵極的輸入端,以及一個(gè)耦接于第一MOS管柵極的輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述第一MOS管和所述第二MOS管均為NMOS管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)控制電路,其特征在于:所述第一開關(guān)管的漏極與所述第二開關(guān)管的漏極的公共接點(diǎn)與所述第三開關(guān)管的漏極與所述第四開關(guān)管的漏極的公共接點(diǎn)之間耦接有吸收電容。
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