[實用新型]透明導電性薄膜

有效

• 申請號: 201520382370.6
• 申請日: 2015-06-04
• 公開（公告）號: CN204706006U
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 藤野望;加藤大貴;梨木智剛
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;H01B5/14
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種透明導電性薄膜，其特征在于，至少依次具有聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、固化層、無機硅氧化物層及銦-錫氧化物層，

所述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度為40μm～130μm，

所述固化層在該固化層內具備多個無機顆粒，

所述固化層的厚度與所述無機硅氧化物層的厚度的總和為300nm以上并且不足3000nm，

所述無機硅氧化物層的厚度超過15nm，

所述銦-錫氧化物層的厚度為15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心線平均粗糙度Ra為0.1nm以上并且不足2nm。

2.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度為70μm～130μm。

3.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述固化層中的多個無機顆粒的體積占有率為15％～70％。

4.根據權利要求3所述的透明導電性薄膜，其特征在于，通過BET法計算出的所述多個無機顆粒的平均粒徑為5nm～50nm。

5.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述固化層的厚度與所述無機硅氧化物層的厚度的總和為400nm以上并且800nm以下。

6.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述無機硅氧化物層的厚度為20nm～40nm。

7.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述銦-錫氧化物層為多晶層，其厚度為超過20nm并且40nm以下，且其表面的中心線平均粗糙度Ra為0.1nm以上并且不足1nm。

8.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述銦-錫氧化物層在其厚度方向上具有氧化錫的濃度梯度，所述厚度方向上的氧化錫濃度的最小值為1重量％～4重量％。

9.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，電阻率為3.7×10^-4Ω·cm以下，且總透光率為90％以上。

10.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，在所述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的一側的主面上形成所述固化層，在所述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的另一側的主面上形成其他固化層。

11.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，在所述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜與所述固化層之間形成易粘接層。