[實用新型]發(fā)光二極管芯片及發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520378962.0
• 申請日: 2015-06-03
• 公開（公告）號: CN204792904U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李小羅
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L27/15;H01L27/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋;臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種發(fā)光二極管芯片及包括其的發(fā)光裝置，特別是涉及一種包括保護元件的發(fā)光二極管芯片及包括發(fā)光元件與透鏡的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管是一種無機半導體元件，能夠發(fā)出電子和空穴復合產(chǎn)生的光，近年來，人們利用具有直接帶隙型特點的氮化物半導體開發(fā)和制造發(fā)光二極管。

最近，不僅是發(fā)光二級管電視(LEDTV)的背光單元(BackLightUnit)，在照明、汽車、電光板、基礎(chǔ)設(shè)施等多個方面，高亮度-高功率發(fā)光二極管的應(yīng)用正在擴大。因此，對散熱特性優(yōu)秀、電流分散效率優(yōu)秀的覆晶式發(fā)光二極管的需求正在增加。另外，隨著發(fā)光二極管的功率的提高，進一步要求用于防止靜電導致的發(fā)光二極管破損的靜電保護性能。

為防止靜電放電導致的發(fā)光二極管破損，一般而言，在發(fā)光二極管封裝工序中，將另外的保護元件(例如齊納二極管)與發(fā)光二極管一同配置于同一封裝包內(nèi)。例如，在大韓民國專利公開公報10-2011-0128592等中，公開了一種包括發(fā)光二極管和齊納二極管的發(fā)光二極管封裝包。

但是，齊納二極管價格昂貴，由于追加了貼裝齊納二極管的工序，發(fā)光二極管封裝工序數(shù)及制造費用增加。另外，齊納二極管在發(fā)光二極管封裝包內(nèi)貼裝于發(fā)光二極管附近，因此，由于齊納二極管導致的光吸收，封裝包的發(fā)光效率降低，因而發(fā)光二極管封裝包的收率下降。進一步而言，根據(jù)齊納二極管的位置而發(fā)生發(fā)光二極管封裝包的發(fā)光不均一的問題。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻]

[專利文獻]

(專利文獻1)KR10-2011-0128592A

實用新型內(nèi)容

【要解決的技術(shù)問題】

本實用新型要解決的課題是提供一種通過提供包括保護元件的發(fā)光二極管芯片而能夠省略額外的保護元件的發(fā)光二極管芯片及包括其的發(fā)光裝置。

本實用新型要解決的另一課題是提供一種具備包括保護元件的發(fā)光二極管芯片，發(fā)光特性均一，指向角寬闊的發(fā)光裝置。

【解決問題的手段】

本實用新型一個方面的發(fā)光裝置包括：發(fā)光二極管芯片，其包括發(fā)光二極管部及與所述發(fā)光二極管部反并聯(lián)連接的保護二極管部；及透鏡，其位于所述發(fā)光二極管芯片上；所述透鏡包括：下部面，其形成有下部凹陷部，所述下部凹陷部定義供從發(fā)光二極管芯片釋放的光入射的入射面；及上部面，其定義供所述光射出的面，形成有上部凹陷部；所述發(fā)光二極管芯片配置于所述下部凹陷部的下方或其內(nèi)部，所述發(fā)光二極管芯片的所述保護二極管部位于所述上部凹陷部的下方。

因此，可以使釋放到透鏡的上部面的光的指向分布均一，能夠使因保護二極管部而發(fā)生的暗部所誘發(fā)的問題最小化。

所述保護二極管部可以位于所述發(fā)光二極管芯片的中心部，所述上部凹陷部可以位于所述上部面的中心部。

進而，所述上部凹陷部的中心部及所述保護二極管部可以位于垂直于所述發(fā)光二極管芯片上面的假想的透鏡中心軸線上。

在幾個實施例中，所述發(fā)光二極管部及所述保護二極管部可以分別包括第一導電型半導體層；以及臺面，位于所述第一導電型半導體層上，并包括第二導電型半導體層與活性層，所述臺面包括位于所述發(fā)光二極管部的第一臺面以及位于所述保護二極管部的第二臺面。

所述發(fā)光二極管部的第一導電型半導體層及第二導電型半導體層，可以分別與所述保護二極管部的第二導電型半導體層及第一導電型半導體層電連接。

另外，所述發(fā)光二極管芯片可以包括：第二型接觸電極，其位于所述第一臺面及第二臺面上；第一絕緣層，其覆蓋所述第二型接觸電極、所述發(fā)光二極管部及所述保護二極管部，且包括使所述第一導電型半導體層部分地露出的第一開口部和使所述第二型接觸電極部分地露出的第二開口部；第一型焊墊電極，其至少部分地覆蓋所述第一絕緣層，通過所述第一開口部而電連接于所述發(fā)光二極管部的第一導電型半導體層，通過所述第二開口部而電連接于所述保護二極管部上的第二型接觸電極；及第二型焊墊電極，其通過所述第一開口部而電連接于所述保護二極管部的第一導電型半導體層，通過所述第二開口部而電連接于所述發(fā)光二極管部上的第二型接觸電極。

所述保護二極管部可以位于所述發(fā)光二極管芯片的中心部，由所述發(fā)光二極管部包圍。

使所述發(fā)光二極管部的第一導電型半導體層露出的第一開口部，可以沿著所述發(fā)光二極管芯片的外廓邊緣區(qū)域形成。

另外，使所述發(fā)光二極管部的第一導電型半導體層露出的第一開口部,可以還在從所述外廓邊緣區(qū)域向所述保護二極管部側(cè)的區(qū)域形成。