[實用新型]發(fā)光二極管芯片及發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520378962.0 | 申請日: | 2015-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN204792904U | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李小羅 | 申請(專利權(quán))人: | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58;H01L27/15;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張洋;臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道安山市檀*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 芯片 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種發(fā)光裝置,其特征在于,包括:
發(fā)光二極管芯片,其包括發(fā)光二極管部及與所述發(fā)光二極管部反并聯(lián)連接的保護二極管部;及
透鏡,其位于所述發(fā)光二極管芯片上;
所述透鏡包括:
下部面,其形成有下部凹陷部,所述下部凹陷部定義供從所述發(fā)光二極管芯片釋放的光入射的入射面;及
上部面,其定義供所述光射出的面,形成有上部凹陷部;
所述發(fā)光二極管芯片配置于所述下部凹陷部的下方或其內(nèi)部,所述發(fā)光二極管芯片的所述保護二極管部位于所述上部凹陷部的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述保護二極管部位于所述發(fā)光二極管芯片的中心部,
所述上部凹陷部位于所述上部面的中心部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述上部凹陷部的中心部及所述保護二極管部位于垂直于所述發(fā)光二極管芯片上表面的假想的透鏡中心軸線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述發(fā)光二極管部及所述保護二極管部分別包括:
第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層;以及
臺面,位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上,并包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與活性層,
所述臺面包括位于所述發(fā)光二極管部的第一臺面以及位于所述保護二極管部的第二臺面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述發(fā)光二極管部的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,分別與所述保護二極管部的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述發(fā)光二極管芯片包括:
第二型接觸電極,其位于所述第一臺面及所述第二臺面上;
第一絕緣層,其覆蓋所述第二型接觸電極、所述發(fā)光二極管部及所述保護二極管部,且包括使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層部分地露出的第一開口部和使所述第二型接觸電極部分地露出的第二開口部;
第一型焊墊電極,其至少部分地覆蓋所述第一絕緣層,通過所述第一開口部而電連接于所述發(fā)光二極管部的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,通過所述第二開口部而電連接于所述保護二極管部上的所述第二型接觸電極;及
第二型焊墊電極,其通過所述第一開口部而電連接于所述保護二極管部的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,通過所述第二開口部而電連接于所述發(fā)光二極管部上的所述第二型接觸電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述保護二極管部位于所述發(fā)光二極管芯片的中心部,由所述發(fā)光二極管部包圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
使所述發(fā)光二極管部的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層露出的所述第一開口部,是沿著所述發(fā)光二極管芯片的外廓邊緣區(qū)域形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
使所述發(fā)光二極管部的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層露出的所述第一開口部,還在從所述外廓邊緣區(qū)域向所述保護二極管部側(cè)的區(qū)域形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述發(fā)光二極管芯片還包括第二絕緣層,
所述第二絕緣層至少部分地覆蓋所述第一型焊墊電極、所述第二型焊墊電極及所述第一絕緣層,所述第二絕緣層包括分別使所述第一型焊墊電極和所述第二型焊墊電極露出的第三開口部及第四開口部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
還包括基板,其供所述發(fā)光二極管芯片貼裝,并包括引線;
所述第一型焊墊電極通過所述第三開口部而與一個所述引線電連接;
所述第二型焊墊電極通過所述第四開口部而與另一個所述引線電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
還包括焊料,其使所述第一型焊墊電極及所述第二型焊墊電極與所述引線粘合。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置,其特征在于,
所述發(fā)光二極管芯片還包括:
第一凸塊,其通過所述第三開口部而與所述第一型焊墊電極電連接;及
第二凸塊,其通過所述第四開口部而與所述第二型焊墊電極電連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于首爾偉傲世有限公司,未經(jīng)首爾偉傲世有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520378962.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





