[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520364943.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-05-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN205016506U | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-02-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柏崎智也 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/13 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/13;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 權(quán)太白;謝麗娜 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包括:
半導(dǎo)體芯片;
引線(xiàn),配置在所述半導(dǎo)體芯片的周?chē)揖哂兄髅婧团c所述主面對(duì)置的背面;
金屬絲,連接到所述引線(xiàn)的所述主面,將所述半導(dǎo)體芯片和所述引線(xiàn)電連接;以及
封裝體,由封裝樹(shù)脂將所述半導(dǎo)體芯片、所述引線(xiàn)以及所述金屬絲覆蓋而成,
所述引線(xiàn)在所述引線(xiàn)的延伸方向上具有位于所述封裝體的內(nèi)部的一端、位于所述封裝體的外部的另一端以及連接有所述金屬絲的金屬絲連接部,所述引線(xiàn)在所述一端和所述金屬絲連接部之間的所述主面具有第一槽。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述第一槽沿著與所述引線(xiàn)的延伸方向正交的方向延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在所述引線(xiàn)的延伸方向上,在所述金屬絲連接部和所述引線(xiàn)的所述一端之間配置有所述第一槽。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述引線(xiàn)具有所述封裝體內(nèi)部的內(nèi)側(cè)部和所述封裝體外部的外側(cè)部,與所述引線(xiàn)的延伸方向正交的方向上的所述外側(cè)部的寬度小于與所述引線(xiàn)的延伸方向正交的方向上的所述第一槽的長(zhǎng)度。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
與所述引線(xiàn)的延伸方向正交的方向上的所述內(nèi)側(cè)部的寬度大于與所述引線(xiàn)的延伸方向正交的方向上的所述外側(cè)部的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述第一槽的剖面形狀為V字形狀。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在所述引線(xiàn)的延伸方向上具有與所述第一槽相鄰的第二槽。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在所述封裝體的內(nèi)部,在所述金屬絲連接部和所述另一端之間具有第三槽。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在與所述引線(xiàn)的延伸方向正交的方向上,所述第三槽的長(zhǎng)度小于所述第一槽的長(zhǎng)度。
10.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包括:
半導(dǎo)體芯片,具有四邊形的第一面且在所述第一面上具有第一焊盤(pán)和多個(gè)第二焊盤(pán),所述第一面具有對(duì)置的第一邊和第二邊;
第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn),沿著與所述半導(dǎo)體芯片的所述第一邊以及所述第二邊正交的方向延伸,且具有主面和與所述主面對(duì)置的背面;
第一金屬絲,連接到所述第一引線(xiàn)的主面,將所述半導(dǎo)體芯片的所述第一焊盤(pán)和所述第一引線(xiàn)電連接;
多個(gè)第二金屬絲,連接到所述第二引線(xiàn)的主面,將所述半導(dǎo)體芯片的所述多個(gè)第二焊盤(pán)和所述第二引線(xiàn)電連接;以及
封裝體,由封裝樹(shù)脂將所述半導(dǎo)體芯片、所述第一引線(xiàn)、所述第二引線(xiàn)、所述第一金屬絲以及所述第二金屬絲覆蓋而成,
所述第一引線(xiàn)配置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第一邊側(cè),所述第二引線(xiàn)配置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二邊側(cè),
所述第一引線(xiàn)在所述第一引線(xiàn)的延伸方向上具有位于所述封裝體的內(nèi)部的第一端部、位于所述封裝體的外部的第二端部以及位于所述封裝體的內(nèi)部且連接有所述第一金屬絲的第一金屬絲連接部,
所述第二引線(xiàn)在所述第二引線(xiàn)的延伸方向上具有位于所述封裝體的內(nèi)部的第三端部、位于所述封裝體的外部的第四端部以及位于所述封裝體的內(nèi)部且連接有所述多個(gè)第二金屬絲的第二金屬絲連接部,
在所述第一端部和所述第一金屬絲連接部之間的所述第一引線(xiàn)的主面具有第一槽,
在所述第二引線(xiàn)的主面,從所述第二金屬絲連接部至所述第三端部具有平坦面。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述第一槽沿著與所述第一引線(xiàn)的延伸方向正交的方向延伸。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在所述第一引線(xiàn)的延伸方向上,在所述第一金屬絲連接部和所述第一端部之間配置有所述第一槽。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在所述封裝體內(nèi)的所述第一引線(xiàn)的主面,在所述第一金屬絲連接部和所述第二端部之間具有第二槽,
在所述封裝體內(nèi)的所述第二引線(xiàn)的主面,在所述第二金屬絲連接部和所述第四端部之間具有第三槽。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
與所述第一引線(xiàn)的延伸方向正交的方向上的所述第一槽的長(zhǎng)度大于所述第二槽的長(zhǎng)度。
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