[實用新型]應用于離子束刻蝕系統的基片承載裝置有效
| 申請號: | 201520358823.1 | 申請日: | 2015-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN204720414U | 公開(公告)日: | 2015-10-21 |
| 發明(設計)人: | 戴秀海;余海春;龍汝磊 | 申請(專利權)人: | 光馳科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/20 | 分類號: | H01J37/20 |
| 代理公司: | 上海申蒙商標專利代理有限公司 31214 | 代理人: | 徐小蓉 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 離子束 刻蝕 系統 承載 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及微細加工技術領域,尤其是應用于離子束刻蝕系統的基片承載裝置。
背景技術
離子束刻蝕技術是一種在真空條件下利用離子束對樣品進行微細加工的技術,主要包括硬件和軟件兩部分,硬件部分是離子束刻蝕裝置的設計和制造,軟件部分是指對已有設備的刻蝕情況進行研究,得到更好的刻蝕結果。現有離子束刻蝕系統的載物臺均為單層載物臺設計,具單層載物臺的離子束刻蝕系統單機生產能力不足,批量作業時刻蝕系統開停機頻繁、刻蝕系統時間稼動率低下,生產工時長,由此造成離子束刻蝕系統利用率及產能低下,提高了生產成本。
發明內容
本實用新型的目的是根據上述現有技術的不足,提供了應用于離子束刻蝕系統的基片承載裝置,通過可旋轉的多層載物臺帶動基片來對準離子束依次進行刻蝕,提高刻蝕系統時間稼動率、產能,縮短生產工時,降低了生產成本。
本實用新型目的實現由以下技術方案完成:
一種應用于離子束刻蝕系統的基片承載裝置,其特征在于:所述裝置包括旋轉軸和至少兩個載物臺,所述載物臺沿所述旋轉軸的軸向間隔設置在所述旋轉軸上,所述載物臺可隨所述旋轉軸轉動,所述載物臺上開設有離子束窗口。
所述離子束窗口的輪廓形狀、大小與承載于所述載物臺上的基片的形狀、大小吻合適配。
本實用新型的優點是:提高了離子束刻蝕系統單次開機所能刻蝕的基片總數量,降低了批量作業時離子束刻蝕系統的開停機次數,提高了離子束刻蝕系統利用率,減少了工時,滿足刻蝕工作需要;同時也減少了因反復開停機對配套真空系統的不利影響,延長了真空系統的工作壽命,降低了生產成本。
附圖說明
圖1為本實用新型在離子束刻蝕機中的正視圖;
圖2為圖1的左視圖;
圖3為本實用新型的俯視圖。
具體實施方式
以下結合附圖通過實施例對本實用新型特征及其它相關特征作進一步詳細說明,以便于同行業技術人員的理解:
如圖1-3所示,圖中標記1-7分別表示為:真空室1、離子源2、載物臺3、旋轉軸4、電動機5、離子束窗口6、修正板7。
實施例:如圖1和圖2所示,本實施例中應用于離子束刻蝕系統的基片承載裝置設置在真空室1內部,真空室1內部設置有離子源2,離子源2用于對基片承載裝置上所承載的基片進行刻蝕。基片承載裝置包括若干載物臺3和旋轉軸4,若干載物臺3沿旋轉軸4的軸向間隔設置在旋轉軸4上,且每個載物臺3均可隨旋轉軸4獨立轉動。載物臺3隨旋轉軸4轉動的作用有兩個,其一是使得均布在載物臺3上的基片可依次轉動并對準離子源2,以完整離子束刻蝕,其二是使位于上一層的載物臺3所承載的基片在刻蝕完之后,將離子束窗口6對準離子源2,以離子源2可穿過上一層載物臺3的離子束窗口6后對下一層載物臺3所承載的基片進行離子束刻蝕。電動機5連接驅動旋轉軸4轉動。修正板7位于載物臺3的上方,用于對離子束進行修正。
如圖3所示,載物臺3上開設有離子束窗口6,離子束窗口6輪廓的形狀、大小與承載在載物臺3上的基片輪廓形狀、大小吻合適配。離子束窗口6的作用在于,使離子源2可通過離子束窗口6穿過上一層載物臺3而對位于下一層載物臺3上所承載的基片進行刻蝕;以此類推,完成若干層載物臺3上的基片的離子束刻蝕。修正板7上亦開設有用于修正離子束的離子束窗口,該離子束窗口輪廓的形狀、大小根據離子束所需的修正設計進行設置。
本實施例在具體實施時:修正板7設置在真空室1內部且保持靜態,其板體上開設的離子束窗口與離子源2的設置位置保持位置對應,即保證離子源2穿過開設在修正板7上用于修正的離子束窗口。
在修正板7下依次是沿旋轉軸4軸向高度方向的第一層載物臺、第二層載物臺,及至第N載物臺;載物臺3均為圓形平板狀,在第一層至第(n-1)層的載物臺上均開有離子束窗口6,而第n層載物臺為一完整的圓形平板狀,不設離子束窗口。第一層載物臺、第二載物臺及至第n層載物臺可一同隨旋轉軸4旋轉,亦可獨立隨轉軸旋轉。當多層載物臺一同隨旋轉軸4旋轉時,其旋轉方式可以為逐層增加式,也可以為逐層遞減。在逐層遞減時,最開始的旋轉狀態為若干載物臺一同旋轉,即在刻蝕第一層載物臺上的基片時,下方的載物臺隨第一層載物臺一齊旋轉。當第一層載物臺上的基片全部刻蝕完畢后,第一層載物臺停止,其停止位置滿足于離子束穿過第一層載物臺上的離子束窗口。此時,第二層載物臺及其下方的載物臺繼續旋轉,第二層載物臺上的基片進行刻蝕;以此往復,逐漸遞減,完成每層載物臺上的基片的刻蝕。
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