[實用新型]磁控濺射孿生旋轉靶材的氣體供應裝置

有效

• 申請號: 201520348565.9
• 申請日: 2015-05-27
• 公開（公告）號: CN204714888U
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發明（設計）人: 李爽;沈曉磊;許磊
• 申請（專利權）人: 光馳科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 上海申蒙商標專利代理有限公司 31214
• 代理人: 徐小蓉

技術領域

本實用新型涉及真空鍍膜領域，尤其是磁控濺射孿生旋轉靶材的氣體供應裝置。

背景技術

磁控濺射鍍膜技術是一種具有高效率、成膜致密、適宜工業化生產等特點的物理氣相沉積方法，其在多種功能性薄膜制備中占據重要地位。濺射靶材有平面靶和旋轉靶之分，其中，孿生旋轉靶以其利用率高、鍍膜速率高、靶中毒少等優點在大批量薄膜制備中廣泛應用。旋轉靶一般呈長條圓柱狀。旋轉靶材工作時，工作氣體通過平行于靶材徑向的氣管導入到靶材附近，為了實現鍍膜在靶材徑向方向上的均一性，氣管的出氣口一般沿靶材徑向均勻排布。

目前，為了適應大批量生產的需要，對于大型鍍膜設備開發日益增多。相應地，鍍膜腔室中的旋轉靶材長度不斷增大。另一方面，隨著人們對于鍍膜產品質量需求的提高，對鍍膜均一性亦提出更高的要求。在上述情況下，現有技術中的旋轉靶材氣管及其氣孔的設計出現了不足，表現在：通常情況下，氣管的進氣口位于氣管的某個特定位置，而出氣口在氣管上均勻分布。在這種情況下，通入氣體時，氣管在其徑向的壓力分布會有明顯的不均勻，從而造成靶材徑向上工作氣體不均勻，以致影響到鍍膜均勻性。

發明內容

本實用新型的目的是根據上述現有技術的不足，提供了磁控濺射孿生旋轉靶材的氣體供應裝置，通過氣管的數量、氣管在靶材徑向上的分布、出氣口數量和位置來調節工作氣體在靶材徑向的分布，以實現均勻鍍膜。

本實用新型目的實現由以下技術方案完成：

一種磁控濺射孿生旋轉靶材的氣體供應裝置，包括氣管，所述氣管上開設有出氣口，其特征在于：所述氣體供應裝置至少包括若干所述氣管，所述氣管上的所述出氣口分別對應覆蓋所述靶材的部分區域，若干所述氣管上的所述出氣口所構成的覆蓋范圍包含所述靶材的全部區域。

若干所述氣管上的所述出氣口錯列布置。

若干所述氣管的所述出氣口的覆蓋范圍具有重合交疊的區域。

所述出氣口的口徑沿所述氣管的內壁至外壁的方向逐漸變大。

至少兩個所述出氣孔呈中心對稱分布設置于所述氣管上。

本實用新型的優點是：通過氣管的數量、氣管在靶材徑向上的分布、出氣口數量和位置來調節工作氣體在靶材徑向的分布，以實現均勻鍍膜；結構簡單合理、使用方便、適于推廣。

附圖說明

圖1為本實用新型的第一種結構示意圖；

圖2為圖1的俯視圖；

圖3為本實用新型的第二種結構示意圖；

圖4為圖3的俯視圖；

圖5為本實用新型中出氣口的結構示意圖；

圖6為本實用新型中氣管的截面示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖通過實施例對本實用新型特征及其它相關特征作進一步詳細說明，以便于同行業技術人員的理解：

如圖1-6所示，圖中標記1-8分別為：旋轉靶材1、氣管2、出氣口3、進氣口4、進氣口所在區域5、出氣口6、氣管內壁7、氣管外壁8。

實施例一：如圖1、圖2所示，本實施例中磁控濺射孿生旋轉靶材的氣體供應裝置包括三根氣管2，三根氣管2設置在孿生的兩個旋轉靶材1之間并與旋轉靶材1的徑向相平行。氣管2的兩端封閉，其表面中部均開設有進氣口4，三根氣管2的進氣口4通過進氣口所在區域5集成并連接至進氣裝置。出氣口3和出氣口6分別為開設在氣管2上的出氣口；在使用時，工作氣體自進氣裝置至氣管2后從各出氣口發出并導向旋轉靶材1。

如圖1所示，本實施例中的氣體供應裝置為準分段型，即三根氣管2上的出氣口分別對應覆蓋旋轉靶材1的部分區域，三根氣管2上的出氣口所構成的覆蓋范圍包含旋轉靶材1的全部區域。如圖1所示，位于中間的氣管2的出氣口對應覆蓋旋轉靶材1徑向的兩外側區域，位于左側的氣管2的出氣口對應覆蓋旋轉靶材1徑向的兩中部區域，而位于右側的氣管2的出氣口對應覆蓋旋轉靶材1徑向的兩內側區域；此時，三根氣管2的出氣口的覆蓋范圍相組合便包含了旋轉靶材1徑向的全部區域。而之所以選擇采用三根氣管2各自對應覆蓋旋轉靶材1的部分區域是因為，三根氣管2上出氣口的氣壓相同，工作氣體便可在靶材徑向的分布均勻，從而避免通常情況下，由于出氣口在氣管上均勻分布所導致的徑向壓力分布明顯不均，進一步造成靶材徑向上工作氣體不均勻，以致影響到鍍膜均勻性。因此，每根氣管2上的出氣口的位置可根據氣管2上的進氣口4的位置和氣管內氣壓的分布進行人為調整，從而使工作氣體在靶材徑向的分布均勻。