[實用新型]發光二極管陣列

有效

• 申請號: 201520344494.5
• 申請日: 2015-05-25
• 公開（公告）號: CN204668307U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 蔡鐘炫;張鍾敏
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L25/13
• 分類號: H01L25/13;H01L33/36
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

技術領域

本實用新型涉及一種發光二極管陣列，更詳細地涉及通過配線來連接多個發光二極管并以倒裝芯片類型形成的發光二極管陣列。

背景技術

發光二極管是在通過陽極端子和陰極端子被施加開啟電壓以上的電壓的情況下執行發光操作的元件。通常，用于引導發光二極管的發光操作的開啟電壓值相比于常用電源值非常低。因此，發光二極管很難在110V或220V的常用交流電源下直接使用。為了利用常用交流電源來運行發光二極管，需要使用電壓轉換器，以降低所供給的交流電壓。由此，需要設置發光二極管的驅動電路，從而導致包括發光二極管的照明裝置的制造成本上升。并且，由于需要設置獨立的驅動電路，導致照明裝置的體積增加，產生不必要的熱量，還存在針對所施加的電力的功率因素改善等課題。

為了以不需要另行的電壓轉換機構的狀態使用常用交流電源，提出了將多個發光二極管芯片相互串聯來構成陣列的方法。為了以陣列方式實現發光二極管，應以獨立包形式構成發光二極管芯片。對此，要求實施基板分離工序、針對所分離的發光二極管芯片的封裝工序等，還要求另行實施將各個包(Package)配置于陣列基板的裝配工序及包所具有的電極之間的配線工序。由此，構成陣列的工序時間變長，制造成本也會增加。

并且，在構成陣列的配線工序中使用引線接合(wire?bonding)，在陣列前面形成有獨立的成型層，以保護接合引線。由此，還要求實施用于形成成型層的成型形成工序，工序的復雜度也隨之提高。尤其，在適用水平式(lateral)結構的芯片類型的情況下，還存在發光性能的低下及發熱所致的發光二極管的品質低下。

為了解決如上所述的存在問題，提出了由多個發光二極管芯片構成的陣列以單一的包形式制造的發光二極管芯片陣列。

根據現有技術的發光二極管芯片陣列，多個水平式發光二極管芯片在單一基板上通過空氣橋(Air?bridge)工序形成的金屬配線來電氣連接。根據上述現有技術，不以個別芯片單位要求獨立的封裝工序，且在晶片級中形成陣列。但是，由于具有空氣橋連接結構，耐久性差，還因水平式芯片類型，導致發光性能或發熱性能變差。

除此以外，根據另一現有技術，在單一基板上設有多個倒裝芯片類型的發光二極管，各個發光二極管的n電極和p電極以外露的狀態露出。由此，為了使用單一電源，應補充用于相互連接多個電極的配線工序。為此，在上述另一現有技術中使用載體(submount)基板。即，應在電極之間的用于配線的獨立的載體基板上裝配倒裝芯片類型的發光二極管。在載體基板的背面應形成用于與基板電氣連接的至少兩個電極。上述另一現有技術使用倒裝芯片類型，因此，具有可改善發光性能及發熱性能的優點。相反地，由于使用載體基板，導致出現制造費用增加，最終產品的厚度增加的問題。此外，還要求實施對載體基板的補充配線工序和將載體基板安裝于新的基板的補充工序。

并且，根據再一現有技術，提出了將倒裝芯片類型的發光二極管相互間串聯的構成。根據上述再一現有技術，不要求實施芯片單位的封裝工序，而且由于使用倒裝芯片類型，具有可改善發光特性及發熱性能的效果。但是，除了n型半導體層和p型半導體層之間的配線以外，還使用獨立的反射層，在n型電極上使用互連配線。由此，需要形成多個圖案化金屬層，為此，還需要各種類型的掩模。并且，由于n電極及互連電極之間的熱膨脹系數等差異，產生剝離或開裂，從而導致發生電氣接觸斷開的問題。

實用新型內容

[技術問題]

本實用新型所要解決的課題是提供具有改善結構的倒裝芯片類型的發光二極管陣列。

本實用新型所要解決的另一課題是無需使用載體的發光二極管陣列。

本實用新型所要解決的再一課題是提供除了將多個發光二極管相連接的配線之外無需使用獨立的反射金屬層也可防止光損失的倒裝芯片類型的發光二極管陣列。

本實用新型所要解決的還有一課題是提供可通過減少光損失來改善光提取效率的倒裝芯片類型的發光二極管陣列。

本實用新型所要解決的又一課題是提供可實現有效的電流擴散的倒裝芯片類型的發光二極管陣列。

本實用新型的其他特征及優點將通過下述說明得以明確和理解。

[解決問題的手段]