[實用新型]發光二極管陣列

有效

• 申請號: 201520344494.5
• 申請日: 2015-05-25
• 公開（公告）號: CN204668307U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 蔡鐘炫;張鍾敏
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L25/13
• 分類號: H01L25/13;H01L33/36
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種發光二極管陣列，其特征在于，包括：

基板；

發光二極管，位于所述基板，分別包括第一半導體層、活性層、第二半導體層及外露有所述第一半導體層的一部分的第一開口部；

下部電極，配置于所述第二半導體層；

上部電極，通過所述第一開口部與所述第一半導體層電氣連接；以及

第一層間絕緣膜，配置于所述發光二極管及所述上部電極之間，使所述上部電極與所述發光二極管的側面相絕緣，

所述第一開口部與所述第二半導體層的一側并行地配置，

所述上部電極的至少一個具有通過所述第一層間絕緣膜外露有所述下部電極的一部分的第二開口部。

2.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，

所述第一開口部包括分別配置于所述第一開口部的兩側末端的通孔以及用于連接所述通孔的連接部；以及

所述通孔中的一個所述通孔以預定距離與所述第二開口部相隔。

3.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述第一開口部呈啞鈴形態、矩形形態或邊角圓潤的矩形形態。

4.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述第一開口部的長度與所述第二半導體層的一側中的長側長度呈正比。

5.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述第一開口部的至少一部分配置于所述發光二極管分別包括的所述第二半導體層的中央區域。

6.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述第一開口部的長度為所述第二半導體層的一側長度的30％以上且小于100％。

7.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，

所述上部電極中的一個與相鄰的所述發光二極管的所述第二半導體層電氣連接；以及

所述上部電極中的另一個與相鄰的所述發光二極管的所述第二半導體層相絕緣。

8.根據權利要求7所述的發光二極管陣列，其特征在于，

所述第一層間絕緣膜使所述下部電極中的各所述下部電極的一部分外露；以及

所述上部電極中的至少一個通過外露的所述下部電極中的各所述下部電極的一部分，與相鄰的所述發光二極管所包含的所述第二半導體層電氣連接。

9.根據權利要求8所述的發光二極管陣列，其特征在于，

還包括第二層間絕緣膜，所述第二層間絕緣膜用于覆蓋所述上部電極；以及

所述第二層間絕緣膜包括：第二開口部，使所述下部電極中的一個所述下部電極外露，以及第三開口部，使與相鄰的所述發光二極管所包含的所述第二半導體層相絕緣的所述上部電極外露。

10.根據權利要求9所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述第三開口部中的至少兩個所述第三開口部相對于相鄰的所述發光二極管所包含的所述第一開口部呈對稱。

11.根據權利要求9所述的發光二極管陣列，其特征在于，

相鄰的所述發光二極管所包含的所述第一開口部包括分別配置于所述第一開口部的兩側末端的通孔以及用于連接所述通孔的連接部；以及

所述通孔中的一個所述通孔以預定距離與所述第三開口部相隔。

12.根據權利要求9所述的發光二極管陣列，其特征在于，

還包括第一墊片及第二墊片，所述第一墊片及所述第二墊片位于所述第二層間絕緣膜上；

所述發光二極管借助所述上部電極來串聯；以及

所述第一墊片與通過所述第二開口部來外露的所述下部電極相連接，所述第二墊片與通過所述第三開口部來外露的所述上部電極相連接。

13.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述上部電極包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層歐姆接觸于所述第一半導體層。

14.根據權利要求13所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述上部電極還包括反射層，所述反射層位于所述歐姆接觸層上。

15.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述下部電極分別包括反射層。

16.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述上部電極的面積占所述發光二極管陣列的全部面積的30％以上且小于100％。

17.根據權利要求1所述的發光二極管陣列，其特征在于，所述上部電極中的至少一個的寬度或幅度大于與所述上部電極相對應的所述發光二極管的寬度或幅度。