[實用新型]一種鏡像全加器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520343069.4
• 申請日: 2015-05-25
• 公開（公告）號: CN204652349U
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發(fā)明（設計）人: 劉倩;丁成樂
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H03K19/20
• 分類號: H03K19/20
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 胡樹發(fā)

1.一種鏡像全加器電路，其特征在于：它包括進位電路(1)和求和電路(2)，

進位電路(1)包括第一進位電路(1-1)和第二進位電路(1-2)，第一進位電路(1-1)和第二進位電路(1-2)為鏡像結構；

第一進位電路(1-1)包括PMOS晶體管a、PMOS晶體管b和PMOS晶體管c，PMOS晶體管a的柵極為G輸入端口，PMOS晶體管b的柵極為Ci輸入端口，PMOS晶體管c的柵極為P輸入端口，PMOS晶體管a的漏極和PMOS晶體管c的漏極同時連接VCC，PMOS晶體管a的源極和PMOS晶體管b的漏極相連接，PMOS晶體管b的源極和PMOS晶體管c的源極同時連接NCo輸出端口；

第二進位電路(1-2)包括NMOS晶體管d、NMOS晶體管e和NMOS晶體管f，NMOS晶體管d的柵極為Ci輸入端口，NMOS晶體管e的柵極為P輸入端口，NMOS晶體管f的柵極為G輸入端口，NMOS晶體管d的漏極和NMOS晶體管f的漏極同時連接NCo輸出端口，NMOS晶體管d的源極和NMOS晶體管e的漏極相連接，NMOS晶體管e的源極和NMOS晶體管f的源極同時接地；

NMOS晶體管d的柵極和PMOS晶體管b的柵極相連接，NMOS晶體管d的漏極和PMOS晶體管b的源極相連接，NMOS晶體管f的漏極和PMOS晶體管c的源極相連接，

求和電路(2)包括第一求和電路(2-1)和第二求和電路(2-2)，第一求和電路(2-1)和第二求和電路(2-2)為鏡像結構；

第一求和電路(2-1)包括PMOS晶體管g、PMOS晶體管h、PMOS晶體管i、PMOS晶體管j和PMOS晶體管k，PMOS晶體管g的柵極為G輸入端口，PMOS晶體管h的柵極為Ci輸入端口，PMOS晶體管i的柵極為P輸入端口，PMOS晶體管j的柵極連接NCo輸出端口，PMOS晶體管k的柵極連接Ci輸入端口，PMOS晶體管g的漏極、PMOS晶體管h的漏極和PMOS晶體管i的漏極同時連接VCC，PMOS晶體管g的源極、PMOS晶體管h的源極和PMOS晶體管j的漏極同時相連接，PMOS晶體管i的源極連接PMOS晶體管k的漏極，PMOS晶體管j的源極連接NS輸出端口，PMOS晶體管k的源極連接NS輸出端口；

第二求和電路(2-2)包括NMOS晶體管m、NMOS晶體管n、NMOS晶體管o、NMOS晶體管p和NMOS晶體管q，NMOS晶體管m的柵極連接NCo輸出端口，NMOS晶體管n的柵極連接Ci輸入端口，NMOS晶體管o的柵極連接P輸入端口，NMOS晶體管p的柵極連接Ci輸入端口，NMOS晶體管q的柵極連接G輸入端口，NMOS晶體管m的漏極連接NS輸出端口，NMOS晶體管n的漏極連接NS輸出端口，NMOS晶體管m的源極、NMOS晶體管o的漏極和NMOS晶體管p的漏極相連接，NMOS晶體管n的源極和NMOS晶體管q的漏極相連接，NMOS晶體管o的源極、NMOS晶體管p的源極和NMOS晶體管q的源極同時接地；

PMOS晶體管j的柵極和NMOS晶體管m的柵極相連接，PMOS晶體管j的源極和NMOS晶體管m的漏極相連接，PMOS晶體管k的源極和NMOS晶體管n的漏極相連接。