[實(shí)用新型]一種硅片測厚儀

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520334416.7
• 申請(qǐng)日: 2015-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN204757879U
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 宇駿（濰坊）新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): G01B5/06
• 分類號(hào): G01B5/06
• 代理公司: 濰坊正信專利事務(wù)所 37216
• 代理人: 王秀芝

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及硅片測量儀器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅片測厚儀。

背景技術(shù)

硅片作為晶體硅太陽能電池的基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量對(duì)電池性能有很重要的影響，而硅片的厚度作為衡量硅片質(zhì)量的一項(xiàng)指標(biāo)列入硅片來料檢驗(yàn)的范圍，為了進(jìn)一步降低晶體硅太陽能電池的成本，硅片的厚度越來越薄，而當(dāng)硅片厚度超過一定下限值時(shí)將會(huì)導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)化效率的下降；另外硅片厚度的均勻性也很重要，硅片厚度的均勻性不僅影響太陽能電池的制備工藝，而且厚薄不均的硅片會(huì)增加各工段的碎片率。為了保證電池片產(chǎn)出的效率，需要對(duì)來料硅片的厚度進(jìn)行管控，確保其符合檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，從而保證電池片的質(zhì)量。

測量硅片厚度時(shí)，需要選取五個(gè)點(diǎn)，一般情況下，測試人員隨機(jī)選取硅片的四個(gè)角點(diǎn)及其中心點(diǎn)作為測量點(diǎn)，這樣測量點(diǎn)的隨機(jī)性就會(huì)導(dǎo)致測試人員不同測量的結(jié)果就可能不同，采集到的數(shù)據(jù)人為誤差相對(duì)較大，影響實(shí)驗(yàn)分析。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種硅片測厚儀，該硅片測厚儀對(duì)硅片進(jìn)行測量時(shí)，測量點(diǎn)不是隨機(jī)選取的，避免了測試人員不同帶來的人為誤差。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種硅片測厚儀，包括底盤、測量平臺(tái)、支架和安裝于所述支架上用于測量硅片厚度的測量表，所述支架固定在所述底盤上，所述測量表螺旋安裝在所述支架上，所述測量平臺(tái)活動(dòng)放置在所述底盤上，所述測量平臺(tái)的下表面與所述底盤的上表面相貼；

所述底盤的上表面靠近四個(gè)角的位置上設(shè)有角點(diǎn)定位槽，所述角點(diǎn)定位槽以所述底盤上表面的中心點(diǎn)呈中心對(duì)稱分布，所述底盤上表面上還設(shè)有一個(gè)中心點(diǎn)定位槽，所述中心點(diǎn)定位槽的角點(diǎn)位于其中一個(gè)所述角點(diǎn)定位槽的角點(diǎn)和所述底盤中心點(diǎn)的連線上；

所述角點(diǎn)定位槽和所述中心點(diǎn)定位槽呈直角結(jié)構(gòu)，所述角點(diǎn)定位槽和所述中心點(diǎn)定位槽呈直角結(jié)構(gòu)的每條直角邊均與所述底盤上與其鄰近的側(cè)邊平行，所述角點(diǎn)定位槽和所述中心點(diǎn)定位槽的角點(diǎn)朝向遠(yuǎn)離所述底盤中心點(diǎn)的方向；

所述測量平臺(tái)上表面上設(shè)有一個(gè)硅片定位槽，所述硅片定位槽位于所述測量平臺(tái)的上表面的其中一角；

所述硅片定位槽呈直角結(jié)構(gòu)，其每條直角邊均與所述測量平臺(tái)上與其鄰近的側(cè)邊平行，且所述硅片定位槽的角點(diǎn)朝向遠(yuǎn)離測量平臺(tái)中心點(diǎn)的方向；

所述角點(diǎn)定位槽和中心點(diǎn)定位槽均配有與之形狀尺寸相適配的測量平臺(tái)定位板，所述硅片定位槽配有與之形狀尺寸相適配的硅片定位板，所述測量平臺(tái)定位板插入相應(yīng)的角點(diǎn)定位槽或中心點(diǎn)定位槽之后，所述測量平臺(tái)定位板的頂部突出于所述底盤的上表面，所述硅片定位板插入相應(yīng)的硅片定位槽之后，所述硅片定位板的頂部突出于所述測量平臺(tái)的上表面。

作為一種改進(jìn)的方案，所述角點(diǎn)定位槽為單晶角點(diǎn)定位槽，所述硅片定位槽為單晶硅片定位槽。

作為一種改進(jìn)的方案，所述角點(diǎn)定位槽為多晶角點(diǎn)定位槽，所述硅片定位槽為多晶硅片定位槽。

作為一種改進(jìn)的方案，所述角點(diǎn)定位槽包括單晶角點(diǎn)定位槽和多晶角點(diǎn)定位槽，所述單晶角點(diǎn)定位槽，位于所述多晶角點(diǎn)定位槽圍成的區(qū)域的內(nèi)部，所述硅片定位槽包括單晶硅片定位槽和多晶硅片定位槽，所述多晶硅片定位槽位于單晶硅片定位槽的外側(cè)。

作為一種改進(jìn)的方案，所述測量平臺(tái)下表面和側(cè)面有鏤空，測量平臺(tái)上表面上設(shè)有貫穿測量平臺(tái)的通氣孔。

作為一種改進(jìn)的方案，所述通氣孔為多個(gè)。

由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是：硅片測厚儀在測量硅片厚度時(shí)，調(diào)整支架上的螺旋將測量平臺(tái)和測量表之間的距離確定后，打開測量表進(jìn)行置零校準(zhǔn)，然后將硅片放置在測量平臺(tái)上，通過硅片定位槽和硅片定位板的配合使用，使硅片在測量平臺(tái)上的中心點(diǎn)位置固定；通過中心點(diǎn)定位槽和測量平臺(tái)定位板的配合使用，使測量平臺(tái)在底盤上的中心點(diǎn)位置可以固定；通過角點(diǎn)定位槽和測量平臺(tái)定位板的配合使用，使測量平臺(tái)在底盤上的四角位置可以固定；因此，測量時(shí)硅片的中心點(diǎn)和角點(diǎn)不再是隨機(jī)選取，而是被不同位置的定位板進(jìn)行了限定，測試人員在測試硅片厚度時(shí)可以相對(duì)固定的測量硅片四個(gè)角點(diǎn)和中心點(diǎn)，避免了測試人員不同帶來的人為誤差。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明：

圖1是本實(shí)用新型提供的硅片測厚儀的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一測量單晶硅片中心點(diǎn)時(shí)測量平臺(tái)和底盤俯視圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二硅片測厚儀的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二測量多晶硅片角點(diǎn)時(shí)測量平臺(tái)和底盤俯視圖；

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例三硅片測厚儀的結(jié)構(gòu)示意圖；