[實用新型]一種高效出光的GaN基LED芯片有效

申請號：	201520321950.4	申請日：	2015-05-19
公開（公告）號：	CN204668344U	公開（公告）日：	2015-09-23
發明（設計）人：	林海鳳;吳飛翔;董發;李鵬飛	申請（專利權）人：	南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
主分類號：	H01L33/06	分類號：	H01L33/06;H01L33/32
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	100083 北京市***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種高效 gan led 芯片
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【權利要求書】：

1.一種高效出光的GaN基LED芯片，它包括從下到上依次排列的襯底（1）、GaN緩沖層（2）、不摻雜U-GaN層（3）、N-GaN層（4）、多量子阱發光層（5）、P-GaN層（6）和透明導電層（7），在芯片一端的透明導電層（7）上設置P型電極（8），在芯片另一端的N-GaN?層（4）歐姆接觸層上設置N型電極（9），其特征在于：所述N-GaN層（4）歐姆接觸層上還置有柱狀平臺（10），所述柱狀平臺（10）位于多量子阱發光層（5）與N型電極（9）之間，?柱狀平臺（10）從下至上依次為N-GaN層（4）、多量子阱發光層（5）和P-GaN層（6）。

2.根據權利要求1所述的高效出光的GaN基LED芯片，其特征在于：所述柱狀平臺（10）的寬度為5-10μm。

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