[實用新型]功率MOS管芯片多聯結構

有效

• 申請號: 201520312140.2
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN204668301U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 張干;王建全;彭彪;王作義;崔永明
• 申請（專利權）人: 四川廣義微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 羅言剛

1.功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，包括多個功率管芯片，所述功率管芯片的外露封裝面上包括互相絕緣的第一電極、控制電極和第二電極，所述第一電極和第二電極在功率管導通時形成主電流通路，控制電極為功率管的控制端；

多個功率管芯片的第一電極互相連接形成第一主電極；所述第一主電極位于外露封裝面的中心區域，第二電極均位于第一主電極外側；?所述第一主電極、第二電極和控制電極分別與第一主電極焊盤、第二電極焊盤和多個控制電極焊盤電連接，所述功率管芯片為MOS，源極和襯底連接形成第一電極，第二電極為漏極，控制電極為柵極。

2.如權利要求1所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，多個功率管芯片的第二電極互相連接形成第二主電極，所述第二電極焊盤為包圍第一主電極焊盤的環狀，所述環狀包括但不限于圓環或正多邊形框；全部第二電極與第二電極焊盤電連接，且連接點均勻分布于第二電極焊盤上。

3.如權利要求1所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，所述第一主電極和第一主電極焊盤為位置大小均對應的圓形。

4.如權利要求1所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，包括4個所述功率管芯片，所述功率管芯片的外露封裝面為矩形，四個矩形拼接形成功率MOS管芯片多聯結構的矩形封裝面，四個控制引腳分別位于矩形封裝面的四角。

5.如權利要求4所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，每一所述功率管芯片的外露封裝面上包括兩個第二電極，均勻分布于第一電極和控制電極之間的區域。

6.如權利要求1所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，還包括封裝外殼和金屬散熱片，所述金屬散熱片與封裝外殼之間通過介質粘結密封，所述封裝外殼為塑料或金屬，對應的介質分別為環氧樹脂或熔融玻璃。

7.如權利要求6所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，所述金屬散熱片為銅或鋁。

8.如權利要求1所述的功率MOS管芯片多聯結構，其特征在于，電極與焊盤之間通過金線連接。