[實(shí)用新型]LED2、4寸芯片兼容性沉積SIO2電極平臺(tái)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520292442.8
• 申請(qǐng)日: 2015-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN204614761U
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁維才;高學(xué)生;王濤;王雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 合肥順超知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 34120
• 代理人: 汪守勇

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO₂電極平臺(tái)。

背景技術(shù)

在現(xiàn)代LED芯片生產(chǎn)制造過程中，芯片在外延生長(zhǎng)后經(jīng)外延前清洗、MESA光刻及光刻后去除光刻膠，然后需進(jìn)行掩膜SiO2沉積，后序再經(jīng)一些列化學(xué)、黃光、綜合制程工序處理到ITO前清洗、ITO蒸鍍、ITO光刻、ITO蝕刻去膠、ITO熔合處理后需再次進(jìn)行沉積SiO2，而SiO2沉積需要使用特殊的設(shè)備—PECVD，而電極平臺(tái)就是沉積SiO2必要組件。

目前國(guó)內(nèi)外大部分沉積SiO₂電極平臺(tái)設(shè)計(jì)時(shí)沒考慮芯片兼容性和設(shè)備利用率，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，芯片放置槽種類單一且芯片放置槽布局不合理。

導(dǎo)致在生產(chǎn)過程中，不同規(guī)格芯片不便于同時(shí)制程。

實(shí)用新型內(nèi)容

(一)解決的技術(shù)問題

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SIO₂電極平臺(tái)，使得不同規(guī)格芯片可以同時(shí)制程。

(二)技術(shù)方案

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：

一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO₂電極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，其特征在于，所述芯片載放平臺(tái)上設(shè)置有多個(gè)4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)有多個(gè)2寸芯片放置槽，?所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上。

優(yōu)選的，所述鋁電極圓柱高度為40mm。

優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直徑兩端均設(shè)有取片點(diǎn)，所述取片點(diǎn)的圓弧直徑為6mm，所述取片點(diǎn)深度為0.45mm。

優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm。

優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽有13個(gè)。

優(yōu)選的，所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm。

優(yōu)選的，所述2寸芯片放置槽有51個(gè)。

優(yōu)選的，所述腔體內(nèi)壁直徑為530mm。

(三)有益效果

本實(shí)用新型提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺(tái)，通過對(duì)芯片載放平臺(tái)上設(shè)置的4寸芯片放置槽設(shè)重新布局，并在4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設(shè)備利用率的問題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時(shí)制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側(cè)設(shè)有取片點(diǎn)，解決芯片取放位置不合理的問題，可根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣順利將芯片從電極平臺(tái)上取出。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例改進(jìn)后2、4寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例改進(jìn)后4寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例改進(jìn)后2寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例改進(jìn)后2、4寸芯片放置槽局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例改進(jìn)前4寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中，1-腔體、2-4寸芯片放置槽、3-2寸芯片放置槽。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1：

結(jié)合圖2，以4寸芯片為例進(jìn)一步闡述：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO₂電極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，所述腔體內(nèi)壁直徑為530mm，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺(tái)上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置有2寸芯片放置槽，生產(chǎn)過程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時(shí)制程。