[實用新型]LED2、4寸芯片兼容性沉積SIO2電極平臺有效
| 申請號： | 201520292442.8 | 申請日： | 2015-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN204614761U | 公開（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發明（設計）人： | 丁維才;高學生;王濤;王雷 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 合肥順超知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人： | 汪守勇 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led2 芯片 兼容性 沉積 sio sub 電極 平臺 | ||
1.一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，其特征在于，所述芯片載放平臺上設置有多個4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內設有多個2寸芯片放置槽，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上。
2.如權利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述鋁電極圓柱高度為40mm。
3.如權利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直徑兩端均設有取片點，所述取片點的圓弧直徑為6mm，所述取片點深度為0.45mm。
4.如權利要求3所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm。
5.如權利要求4所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述4寸芯片放置槽有13個。
6.如權利要求3所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm。
7.如權利要求6所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述2寸芯片放置槽有51個。
8.如權利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，其特征在于，所述腔體內壁直徑為530mm。
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