[實用新型]一種微型SD卡的封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520267856.5
• 申請日: 2015-04-29
• 公開（公告）號: CN204966492U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發(fā)明（設計）人: 郭寂波
• 申請（專利權）人: 深圳市勁升迪龍科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/31
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種SD卡,尤其涉及一種微型SD卡的封裝結構。

背景技術

SD卡作為一種基于半導體快閃記憶器的新一代記憶設備，它被廣泛應用于便攜式裝置上，隨著電子器件集成化程度不斷加深且電子產品趨于小型化發(fā)展，這也意味著存儲器件的小型化是發(fā)展趨勢，這不僅要求單個產品的小型化也對電子器件的封裝技術提出了更高的要求。

發(fā)明內容

本實用新型提供一種微型SD卡的封裝結構，利用NandFlash作為存儲介質，對傳統(tǒng)的SD卡封裝進行空間壓縮，滿足了單元尺寸小，成本低，功耗低，容量大的需求。

本實用新型是這樣實現(xiàn)的：一種微型SD卡的封裝結構，主要包括一基板，存儲芯片，控制芯片，多根導線和塑膠體。所述基板，中間設置有裸露的金屬散熱盤，兩邊各設置四個電位引腳；所述存儲芯片置于基板散熱盤上；所述控制芯片堆疊在存儲芯片上；所述導線電性連接于基板和存儲芯片之間，存儲芯片和控制芯片之間，控制芯片和基板之間；所述基板連同存儲芯片，控制芯片和導線被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體；

所述基板為QFN導線框架和Substrate印刷電路板；

所述存儲芯片為Nandflashmemory；

所述基板一邊上金屬焊盤SDD2、SDD3、CLK、VSS與存儲芯片上對應的Nb…..通過導線電連接，存儲芯片上與基板另一邊上金屬焊盤CMD、SDD0、SDD1、VCC對應的腳位先與控制芯片上的焊盤通過導線電連接，控制芯片再通過導線與基板上的金屬焊盤CMD、SDD0、SDD1、VCC電連接；

所述基板與存儲芯片之間，存儲芯片與控制芯片之間，控制芯片與基板之間的電性連接均為直線連接，導線不相交；

所述SD卡為微型體積，本體的長、寬、厚度分別為8~20mm、7~20mm、0.8~1mm。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中：

圖1是本實用新型封裝結構示意圖；

圖2是本實用新型封裝俯視圖；

圖3是本實用新型存儲卡腳位連接定義圖。

具體實施方式

下面結合附圖所示之優(yōu)選實施例作進一步詳述。

本實用新型提供一種微型SD卡的封裝結構，主要包括一基板1，存儲芯片2，控制芯片3，多根導線4和塑膠體5。如圖2，所述基板1，中間設置有裸露的金屬散熱盤6，兩邊各設置四個電位引腳7（SSD2、SDD3、CLK、VSS、CMD、SDD0、SDD1、VCC）；所述存儲芯片2置于基板1散熱盤6上；所述控制芯片3堆疊在存儲芯片2上；如圖3，所述導線4電性連接于基板1和存儲芯片2之間，存儲芯片2和控制芯片3之間，控制芯片3和基板1之間；如圖1，所述基板1連同存儲芯片2，控制芯片3和導線4被環(huán)氧樹脂包裹，形成塑膠體5；

所述基板1為QFN導線框架和Substrate印刷電路板；

所述存儲芯片2為Nandflashmemory；

所述基板1一邊上金屬焊盤SDD2、SDD3、CLK、VSS與存儲芯片2上對應的Nb…..通過導線4電連接，存儲芯片2上與基板1另一邊上金屬焊盤CMD、SDD0、SDD1、VCC對應的腳位先與控制芯片3上的焊盤通過導線4電連接，控制芯片3再通過導線4與基板1上的金屬焊盤CMD、SDD0、SDD1、VCC電連接；

所述基板1與存儲芯片2之間，存儲芯片2與控制芯片3之間，控制芯片3與基板1之間的電性連接均為直線連接，導線4不相交；

所述SD卡為微型體積，本體的長、寬、厚度分別為8~20mm、7~20mm、0.8~1mm。

上述實現(xiàn)過程為本實用新型的優(yōu)先實現(xiàn)過程，本領域的技術人員在本實用型的基礎上進行的通常變化和替換包含在本實用新型的保護范圍之內。