[實(shí)用新型]信號(hào)接收電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520266969.3
• 申請(qǐng)日: 2015-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN204442343U
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周玉鎮(zhèn);魏來(lái);戴頡;李耿民;職春星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/094
• 分類號(hào): H03K19/094
• 代理公司: 無(wú)錫互維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

【技術(shù)領(lǐng)域】

本實(shí)用新型涉及電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種信號(hào)接收電路，其可以接收信號(hào)幅度超過(guò)其內(nèi)器件的耐壓的電壓差分信號(hào)。

【背景技術(shù)】

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，電源電壓也在按一定的比例降低。傳統(tǒng)的I/O(輸入/輸出)電壓已經(jīng)從5v以上，下降到3.3v和1.8v。以USB2.0(Universal?Serial?Bus，即通用串行總線)為例，它是消費(fèi)類電子產(chǎn)品中最通用的一個(gè)接口，為了向下兼容USB1.1的標(biāo)準(zhǔn)，USB2.0必須具備發(fā)送和接收USB1.1規(guī)定的全速和低速信號(hào)的功能。而在最先進(jìn)的28nm及以下尺寸的半導(dǎo)體制造工藝中，普遍采用1.8v的晶體管作為接口電路的器件。1.8v的晶體管四端(源，柵，漏，襯)相互之間的電壓差一般不能超過(guò)1.8v，在極端的情況下不能超過(guò)1.98v(電源電壓的10％偏差)。采用1.8v器件接收和發(fā)送3.3v信號(hào)已經(jīng)成為接口電路設(shè)計(jì)的一個(gè)挑戰(zhàn)。同樣的，低壓器件接收和發(fā)送高壓信號(hào)都會(huì)遇到同樣的問題和挑戰(zhàn)。

【實(shí)用新型內(nèi)容】

本實(shí)用新型的目的在于提供一種信號(hào)接收電路，其可以用耐壓的器件形成，但是可以接收高壓信號(hào)。

為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種信號(hào)接收電路，其包括：差分輸入單元，用于接收輸入的一對(duì)電壓差分信號(hào)，該對(duì)電壓差分信號(hào)包括第一電壓差分信號(hào)和第二電壓差分信號(hào)，在第一電壓差分信號(hào)和/或第二電壓差分信號(hào)的電壓高于第一預(yù)定閾值時(shí)，基于輸入的該對(duì)電壓差分信號(hào)產(chǎn)生第一對(duì)電流差分信號(hào)，在第一電壓差分信號(hào)和/或第二電壓差分信號(hào)的電壓低于第一預(yù)定閾值時(shí)，基于該對(duì)電壓差分信號(hào)的電壓至少產(chǎn)生第二對(duì)電流差分信號(hào)；第一電流比較單元，其比較第一對(duì)電流差分信號(hào)，并得到比較結(jié)果；第二電流比較單元，其比較第二對(duì)電流差分信號(hào)，并得到比較結(jié)果，其中綜合第一電流比較單元和第二電流比較單元的比較結(jié)果得到輸入的一對(duì)電壓差分信號(hào)的信號(hào)判決，其中該對(duì)電壓差分信號(hào)的差壓小于或等于第二電壓VDDH，第一電流比較單元、第二電流比較單元和差分輸入單元內(nèi)的器件為耐壓小于第二電壓，第一電流比較單元?和第二電壓?jiǎn)卧缘谝浑妷篤DD為工作電壓，第一電壓VDD小于第二電壓VDDH。

進(jìn)一步的，所述電流比較單元為P型電流比較單元或N型電流比較單元，各個(gè)電流比較單元的輸出端連接在一起并與所述信號(hào)接收電路的輸出端相連。

進(jìn)一步的，所述P型電流比較單元包括NMOS晶體管MN31、MN32、MN33、MN34和PMOS晶體管PM31、PM32，其中NMOS晶體管MN31、MN32、MN33、MN34的源極連接接地端，晶體管MN31的柵極與晶體管MN32的柵極以及晶體管MN31的漏極相連，晶體管MN34的柵極與晶體管MN33的柵極以及晶體管MN34的漏極相連，PMOS晶體管PM31和PM32的源極與第一電源端相連，晶體管PM32的柵極與晶體管PM31的柵極以及晶體管PM32的漏極相連，晶體管MN32的漏極與晶體管PM31的漏極相連，晶體管MN32的漏極與晶體管PM31的漏極的中間節(jié)點(diǎn)作為所述P型電流比較單元的輸出端，晶體管MN33的漏極與晶體管PM32的漏極相連，晶體管MN31的漏極作為所述P型電流比較單元的一個(gè)輸入端連接輸入的一對(duì)電流差分信號(hào)中的一個(gè)，晶體管MN34的漏極作為所述P型電流比較單元的另一個(gè)輸入端連接一對(duì)電流差分信號(hào)中的另一個(gè)，第一電源端的電壓為第一電壓VDD。

進(jìn)一步的，所述N型電流比較單元包括NMOS晶體管MN41、MN42和PMOS晶體管PM41、PM42、PM43和PM44，其中NMOS晶體管MN41、MN42的源極連接接地端，晶體管MN41的柵極與晶體管MN42的柵極以及晶體管MN41的漏極相連，PMOS晶體管PM41、PM42、PM43和PM44的源極與第一電源端相連，晶體管PM43的柵極與晶體管PM44的柵極以及晶體管PM43的漏極相連，晶體管PM42的柵極與晶體管PM41的柵極以及晶體管PM42的漏極相連，晶體管MN42的漏極與晶體管PM41的漏極相連，晶體管MN42的漏極與晶體管PM41的漏極的中間節(jié)點(diǎn)作為所述N型電流比較單元的輸出端，晶體管MN41的漏極與晶體管PM44的漏極相連，晶體管PM43的漏極作為所述N型電流比較單元的一個(gè)輸入端連接輸入的一對(duì)電流差分信號(hào)中的一個(gè)，晶體管PM42的漏極作為所述N型電流比較單元的另一個(gè)輸入端連接輸入的一對(duì)電流差分信號(hào)中的另一個(gè)。