[實用新型]信號接收電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520266969.3 | 申請日: | 2015-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN204442343U | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周玉鎮(zhèn);魏來;戴頡;李耿民;職春星 | 申請(專利權)人: | 燦芯半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/094 | 分類號: | H03K19/094 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人: | 龐聰雅 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)張江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 信號 接收 電路 | ||
1.一種信號接收電路,其特征在于,其包括:
差分輸入單元,用于接收輸入的一對電壓差分信號,該對電壓差分信號包括第一電壓差分信號和第二電壓差分信號,在第一電壓差分信號和/或第二電壓差分信號的電壓高于第一預定閾值時,基于輸入的該對電壓差分信號產生第一對電流差分信號,在第一電壓差分信號和/或第二電壓差分信號的電壓低于第一預定閾值時,基于該對電壓差分信號的電壓至少產生第二對電流差分信號;
第一電流比較單元,其比較第一對電流差分信號,并得到比較結果;
第二電流比較單元,其比較第二對電流差分信號,并得到比較結果,
其中綜合第一電流比較單元和第二電流比較單元的比較結果得到輸入的一對電壓差分信號的信號判決,
其中該對電壓差分信號的差壓小于或等于第二電壓VDDH,第一電流比較單元、第二電流比較單元和差分輸入單元內的器件為耐壓小于第二電壓,第一電流比較單元和第二電壓單元以第一電壓VDD為工作電壓,第一電壓VDD小于第二電壓VDDH。
2.根據權利要求1所述的信號接收電路,其特征在于,
所述電流比較單元為P型電流比較單元或N型電流比較單元,
各個電流比較單元的輸出端連接在一起并與所述信號接收電路的輸出端相連。
3.根據權利要求2所述的信號接收電路,其特征在于,
所述P型電流比較單元包括NMOS晶體管MN31、MN32、MN33、MN34和PMOS晶體管PM31、PM32,
其中NMOS晶體管MN31、MN32、MN33、MN34的源極連接接地端,
晶體管MN31的柵極與晶體管MN32的柵極以及晶體管MN31的漏極相連,
晶體管MN34的柵極與晶體管MN33的柵極以及晶體管MN34的漏極相連,
PMOS晶體管PM31和PM32的源極與第一電源端相連,晶體管PM32的柵極與晶體管PM31的柵極以及晶體管PM32的漏極相連,
晶體管MN32的漏極與晶體管PM31的漏極相連,晶體管MN32的漏極與晶體管PM31的漏極的中間節(jié)點作為所述P型電流比較單元的輸出端,晶體管MN33的漏極與晶體管PM32的漏極相連,
晶體管MN31的漏極作為所述P型電流比較單元的一個輸入端連接輸入的一對電流差分信號中的一個,
晶體管MN34的漏極作為所述P型電流比較單元的另一個輸入端連接一對電流差分信號中的另一個,
第一電源端的電壓為第一電壓VDD。
4.根據權利要求2所述的信號接收電路,其特征在于,
所述N型電流比較單元包括NMOS晶體管MN41、MN42和PMOS晶體管PM41、PM42、PM43和PM44,
其中NMOS晶體管MN41、MN42的源極連接接地端,
晶體管MN41的柵極與晶體管MN42的柵極以及晶體管MN41的漏極相連,
PMOS晶體管PM41、PM42、PM43和PM44的源極與第一電源端相連,
晶體管PM43的柵極與晶體管PM44的柵極以及晶體管PM43的漏極相連,
晶體管PM42的柵極與晶體管PM41的柵極以及晶體管PM42的漏極相連,
晶體管MN42的漏極與晶體管PM41的漏極相連,晶體管MN42的漏極與晶體管PM41的漏極的中間節(jié)點作為所述N型電流比較單元的輸出端,晶體管MN41的漏極與晶體管PM44的漏極相連,
晶體管PM43的漏極作為所述N型電流比較單元的一個輸入端連接輸入的一對電流差分信號中的一個,
晶體管PM42的漏極作為所述N型電流比較單元的另一個輸入端連接輸入的一對電流差分信號中的另一個。
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