[實用新型]半導體封裝結構有效
| 申請號： | 201520263438.9 | 申請日： | 2015-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN204558445U | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發明（設計）人： | 趙慶田;林孟輝 | 申請（專利權）人： | 富鼎先進電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;叢芳 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構包含：
第一導線架；
第一半導體元件，其設置于所述第一導線架上，且所述第一半導體元件具有底連接部、頂連接部、底面以及頂面，所述頂面與所述底面是相背對的，所述底連接部與所述頂連接部分別位于所述底面與所述頂面，所述底連接部電性連接所述第一導線架；
第二導線架，其與所述第一導線架相絕緣；
第一導電片，其設置于所述頂面上，并電性連接所述頂連接部與所述第二導線架；以及
絕緣導熱片，其設置于所述第一導電片上。
2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含第二導電片，所述絕緣導熱片夾設于所述第一導電片與所述第二導電片之間，并絕緣所述第一導電片與所述第二導電片。
3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含第二導電片，所述絕緣導熱片接觸所述第一導電片與所述第二導電片，并隔開所述第一導電片與所述第二導電片。
4.如權利要求2或3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含輔助導熱片，所述輔助導熱片設置于所述第二導電片上，且所述輔助導熱片的表面積大于所述第二導電片的表面積。
5.如權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述輔助導熱片焊接于所述第二導電片上。
6.如權利要求2或3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含第二半導體元件，其設置于所述第二導電片上，并電性連接所述第二導電片。
7.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含中介導電部，其貫穿所述絕緣導熱片，并電性連接所述第一導電片與所述第二導電片。
8.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一導電片包含：
主體，其位于所述第一半導體元件的所述頂連接部上方；以及
延伸部，其從所述主體向下延伸至所述第二導線架，并連接所述第二導線架。
9.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含導電膠，其粘著于所述第一導電片與所述第一半導體元件的所述頂面之間。
10.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包含焊料層，其夾設于所述第一導線架與所述第一半導體元件的所述底面之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于富鼎先進電子股份有限公司，未經富鼎先進電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520263438.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：功率模塊
- 下一篇：光伏電池生產線組件吸附裝置
