[實用新型]半導體襯底結(jié)構(gòu)及半導體封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520258369.2
• 申請日: 2015-04-27
• 公開（公告）號: CN204792778U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳天賜;陳光雄;王圣民;李育穎;蔡麗娟;李志成
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種半導體襯底結(jié)構(gòu)及一種半導體封裝，且更確切地說涉及一種包含用于連接焊料凸塊的金屬凸塊的半導體襯底結(jié)構(gòu)及一種包含半導體襯底結(jié)構(gòu)的半導體封裝。

背景技術(shù)

半導體業(yè)界中的設(shè)計趨勢包含半導體產(chǎn)品的重量減少及小型化。然而，用于重量減少及小型化的技術(shù)可導致制造問題。舉例來說，細節(jié)距型導電跡線可在制造期間導致低產(chǎn)量，較薄半導體襯底結(jié)構(gòu)由于太軟而難以處置，在倒裝芯片接合中使用底填充料的成本可較高，且焊料凸塊可容易開裂。另外，半導體襯底條帶的板邊在使用較薄半導體襯底結(jié)構(gòu)時具有在裝配期間損害或開裂的風險。

因此，期望提供可解決以上問題的半導體襯底結(jié)構(gòu)及半導體封裝。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的一個方面涉及一種半導體襯底結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，半導體襯底結(jié)構(gòu)包括導電結(jié)構(gòu)及電介質(zhì)結(jié)構(gòu)。所述導電結(jié)構(gòu)具有第一導電表面及與所述第一導電表面相對的第二導電表面。所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)覆蓋所述導電結(jié)構(gòu)的至少一部分，且具有第一電介質(zhì)表面及與所述第一電介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面。所述第一導電表面不從所述第一電介質(zhì)表面突出。所述第二導電表面從所述第二電介質(zhì)表面凹進。所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)界定所述第二電介質(zhì)表面上的電介質(zhì)開口以暴露所述第二導電表面的一部分。所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料是固化光敏樹脂。

本實用新型的另一方面涉及一種半導體封裝。在一個實施例中，所述半導體封裝包括半導體襯底結(jié)構(gòu)、半導體裸片及模塑料。所述半導體襯底結(jié)構(gòu)包括導電結(jié)構(gòu)和電介質(zhì)結(jié)構(gòu)。所述導電結(jié)構(gòu)具有第一導電表面及與所述第一導電表面相對的第二導電表面。所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)覆蓋所述導電結(jié)構(gòu)的至少一部分，且具有第一電介質(zhì)表面及與所述第一電介質(zhì)表面相對的第二電介質(zhì)表面。所述第一導電表面不從所述第一電介質(zhì)表面突出。所述第二導電表面從所述第二電介質(zhì)表面凹進。所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)界定所述第二電介質(zhì)表面上的電介質(zhì)開口以暴露所述第二導電表面的一部分。所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料是固化光敏樹脂。所述半導體裸片電連接到所述第一導電表面。所述模塑料覆蓋所述半導體裸片及所述半導體襯底結(jié)構(gòu)的一部分。

附圖說明

圖1說明根據(jù)本實用新型的實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖1A說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖2說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖3說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖4說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖5說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖6說明根據(jù)本實用新型的實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7說明圖6的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖8說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體襯底結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖9說明根據(jù)本實用新型的實施例的半導體封裝的橫截面圖。

圖10說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體封裝的橫截面圖。

圖11說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的半導體封裝的橫截面圖。

圖12A、圖12B、圖12C、圖12D、圖12E、圖12F、圖12G、圖12H、圖12I、圖12J、圖12K、圖12L、圖12M、圖12N、圖12O、圖12P、圖12Q、12R及圖12S說明根據(jù)本實用新型的實施例的制造半導體封裝的方法。

圖13A、圖13B、圖13C、圖13D、圖13E、圖13F、圖13G、圖13H、圖13I、圖13J、圖13K及圖13L說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的制造半導體封裝的方法。

圖14A、圖14B、圖14C、圖14D、圖14E、圖14F及圖14G說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的制造半導體封裝的方法。

圖15A、圖15B、圖15C、圖15D、圖15E、圖15F、圖15G、圖15H、圖15I、圖15J、圖15K、圖15L及圖15M說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的制造半導體封裝的方法。

圖16A、圖16B、圖16C、圖16D、圖16E、圖16F、圖16G、圖16H、圖16I、圖16J、圖16K、圖16L、圖16M及圖16N說明根據(jù)本實用新型的另一實施例的制造半導體封裝的方法。

具體實施方式