[實用新型]半導體襯底結構及半導體封裝

有效

• 申請號: 201520258369.2
• 申請日: 2015-04-27
• 公開（公告）號: CN204792778U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 陳天賜;陳光雄;王圣民;李育穎;蔡麗娟;李志成
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導體襯底結構，其特征在于其包括：

導電結構，其具有第一導電表面及與所述第一導電表面相對的第二導電表面；以及

電介質結構，其覆蓋所述導電結構的至少一部分，并具有第一電介質表面及與所述第一電介質表面相對的第二電介質表面，其中所述第一導電表面不從所述第一電介質表面突出，所述第二導電表面從所述第二電介質表面凹進，且所述電介質結構界定所述第二電介質表面上的電介質開口以暴露所述第二導電表面的一部分，其中所述電介質結構的材料是固化光敏樹脂。

2.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其特征在于其進一步包括金屬凸塊，所述金屬凸塊安置于所述電介質開口中且物理地及電連接到所述第二導電表面，其中所述金屬凸塊具有凹表面。

3.根據權利要求2所述的半導體襯底結構，其特征在于所述金屬凸塊從所述第二電介質表面凹進。

4.根據權利要求2所述的半導體襯底結構，其特征在于間隙形成于所述金屬凸塊的所述凹表面與所述電介質結構之間。

5.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其特征在于所述電介質結構包括第一圖案化導電層及第二圖案化導電層，所述第一圖案化導電層具有從所述第一電介質表面暴露的所述第一導電表面，且所述第二圖案化導電層具有從所述電介質開口暴露的所述第二導電表面。

6.根據權利要求5所述的半導體襯底結構，其特征在于所述電介質結構進一步包括導電通孔，所述導電通孔延伸穿過所述電介質結構且電連接所述第一圖案化導電層與所述第二圖案化導電層。

7.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其特征在于其進一步包括從所述第一導電表面突出的導電柱。

8.一種半導體封裝，其特征在于其包括：

半導體襯底結構，其包括：

導電結構，其具有第一導電表面及與所述第一導電表面相對的第二導電表面；以及

電介質結構，其覆蓋所述導電結構的至少一部分，并具有第一電介質表面及與所述第一電介質表面相對的第二電介質表面，其中所述第一導電表面不從所述第一電介質表面突出，所述第二導電表面從所述第二電介質表面凹進，且所述電介質結構界定所述第二電介質表面上的電介質開口以暴露所述第二導電表面的一部分，其中所述電介質結構的材料是固化光敏樹脂；

半導體裸片，其電連接到所述第一導電表面；以及

模塑料，其覆蓋所述半導體裸片及所述半導體襯底結構的一部分。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝，其特征在于其進一步包括金屬凸塊，所述金屬凸塊安置于所述電介質開口中且物理地及電連接到所述第二導電表面，其中所述金屬凸塊具有凹表面。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其特征在于所述金屬凸塊從所述第二電介質表面凹進。

11.根據權利要求9所述的半導體封裝，其特征在于所述金屬凸塊進一步具有鄰近于所述凹表面的側表面，且間隙形成于所述側表面與所述電介質結構之間。

12.根據權利要求8所述的半導體封裝，其特征在于所述半導體襯底結構進一步包括導電柱，所述導電柱從所述第一導電表面突出且電連接到所述半導體裸片。