[實用新型]一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520253685.0 | 申請日： | 2015-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN204558416U | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 潘無忌;季高明;劉東升;呂煜坤;張旭升;朱駿 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反應 離子 刻蝕 設備 之上 接地 基座 接地裝置 | ||
1.一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置，其特征在于，所述去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置包括：
加熱器，所述加熱器之下表面具有絕緣涂層，并用于提供工藝要求溫度；
上接地環(huán)基座，外包于所述加熱器；
固定螺栓，穿設在所述加熱器和所述上接地環(huán)基座之間，并將所述加熱器和所述上接地環(huán)基座固定設置；
絕緣墊片，設置在所述上接地環(huán)基座與所述固定螺栓之間，且所述上接地環(huán)基座與所述加熱器和所述固定螺栓之間絕緣。
2.如權利要求1所述的去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置，其特征在于，所述加熱器為圓形鋁制加熱器。
3.如權利要求1所述的去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置，其特征在于，所述加熱器之下表面具有絕緣涂層，所述絕緣涂層為氧化鋁絕緣涂層。
4.如權利要求1所述的去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置，其特征在于，所述上接地環(huán)基座與所述固定螺栓之間的所述絕緣墊片更換使用。
5.如權利要求4所述的去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置，其特征在于，所述絕緣墊片為聚醚醚酮材質制備。
6.如權利要求4所述的去耦反應離子刻蝕設備之上接地環(huán)基座接地裝置，其特征在于，所述絕緣墊片耐高溫260℃。
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