[實用新型]一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置

有效

• 申請號: 201520253685.0
• 申請日: 2015-04-23
• 公開（公告）號: CN204558416U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 潘無忌;季高明;劉東升;呂煜坤;張旭升;朱駿
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置。

背景技術

隨著半導體集成電路、集成光路和其它光電子器件向微型化和高密度化方向發展，對刻蝕的工藝要求亦越來越高。傳統的濕法刻蝕由于其刻蝕的各項同性產生嚴重的鉆蝕，使得圖形刻蝕后的邊緣比較粗糙，要刻蝕3μm以下線寬的圖形十分困難。

去耦反應離子刻蝕(DRIE,Decouple?Reaction?Ion?Ethcing)設備是半導體微納器件制備的重要設備，其原理是在有反應氣體的腔室內，通過輝光放電使之形成低溫等離子體，對晶圓表面未被掩蔽部分進行腐蝕的設備，是利用活性離子對襯底的物理轟擊與化學反應的雙重作用進行刻蝕的。

對于去耦反應離子刻蝕設備，工藝過程中上腔體需要持續加熱，以到達一定的工藝要求溫度，例如所述工藝要求溫度為100℃以上，并且在溫度較高的條件下，聚合物不會積聚在上腔體部件。同時，在工藝過程中，等離子體激發過程亦會產生大量熱量。由于上腔體之各工藝部件材質不盡相同，受熱后形變不均勻，導致固定螺絲受外力增大。

更嚴重地，上接地環基座和圓形鋁制加熱器之間形變較大，并在發生形變的過程中所述固定螺絲在固定處頻繁摩擦，最終導致上接地環基座之絕緣層磨損，進而造成金屬底材局部外露。另外，所述鋁制加熱器表面具有絕緣涂層，所述上接地環基座與所述加熱器接觸面之純電阻近似絕緣。在射頻環境中，所述上接地環基座與所述加熱器之間存在相對電勢差。顯然地，所述上接地環基座之局部外露的金屬底材勢必與所述固定螺絲接觸產生電弧，進而引發腔體內等離子體異常，造成產品缺陷。

尋求一種結構簡單、操作方便，并可有效避免所述上接地環基座與所述固定螺絲之間形成電弧的裝置已成為本領域亟待解決的技術問題之一。

故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業多年的經驗，積極研究改良，于是有了本實用新型一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置。

實用新型內容

本實用新型是針對現有技術中，上接地環基座和圓形鋁制加熱器之間形變較大，并在發生形變的過程中所述固定螺絲在固定處頻繁摩擦，導致上接地環基座之絕緣層磨損，進而造成金屬底材局部外露，并使得所述上接地環基座之局部外露的金屬底材與所述固定螺絲接觸產生電弧，最終引發腔體內等離子體異常，帶來產品不良等缺陷提供一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置。

為實現本實用新型之目的，本實用新型提供一種去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置，所述去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置包括：加熱器，所述加熱器之下表面具有絕緣涂層，并用于提供工藝要求溫度；上接地環基座，外包于所述加熱器；固定螺栓，穿設在所述加熱器和所述上接地環基座之間，并將所述加熱器和所述上接地環基座固定設置；絕緣墊片，設置在所述上接地環基座與所述固定螺栓之間，且所述上接地環基座與所述加熱器和所述固定螺栓之間絕緣。

可選地，所述加熱器為圓形鋁制加熱器。

可選地，所述加熱器之下表面具有絕緣涂層，所述絕緣涂層為氧化鋁絕緣涂層。

可選地，所述上接地環基座與所述固定螺栓之間的所述絕緣墊片更換使用。

可選地，所述絕緣墊片具有彈性，以及良好的物理特性和電化學特性。

可選地，所述絕緣墊片為聚醚醚酮材質制備。

可選地，所述絕緣墊片耐高溫260℃。

綜上所述，本實用新型去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置通過在所述上接地環基座和所述固定螺栓之間設置絕緣墊片，使得所述上接地環基座和所述固定螺栓完全隔離，確保所述上接地環基座之金屬底材不會發生局部外露，避免所述上接地環基座和所述加熱器通過局部外露的金屬底材導通產生電弧，不僅提高產品良率，而且降低生產成本。

附圖說明

圖1所示為本實用新型去耦反應離子刻蝕設備之上接地環基座接地裝置的結構示意圖。

具體實施方式

為詳細說明本實用新型創造的技術內容、構造特征、所達成目的及功效，下面將結合實施例并配合附圖予以詳細說明。