[實用新型]加熱基座

有效

• 申請號: 201520248548.8
• 申請日: 2015-04-23
• 公開（公告）號: CN204714892U
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發明（設計）人: 邱國慶
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

技術領域

????本實用新型涉及物理氣相沉積（PVD）技術領域，特別涉及一種應用于去氣腔室中的加熱基座。

背景技術

物理氣相沉積（PVD）技術或濺射（Sputtering）沉積技術是半導體工業中最廣為使用的一類薄膜制造技術，泛指采用物理方法制備薄膜的薄膜制備工藝。如圖1所示，在硬掩模（Hardmask）PVD設備中，硅片（Wafer）經過兩個工藝過程：去氣(Degas)、TiN沉積。去氣工藝中，主要是將硅片加熱至350℃左右，以去除基片上的水蒸氣及其它易揮發雜質。

目前去氣腔室一般采用雙模加熱方式，即：腔室內用加熱基座，腔室上部外面用燈泡加熱。由于燈泡與硅片間用石英窗隔開，燈泡加熱會導致硅片溫度均勻性較差，從而影響工藝指標的均勻性，因此，去氣工藝需要一個溫度均勻性較好的加熱基座。

現有去氣腔室中的加熱基座的結構如圖2所示。加熱基座安裝于去氣腔室內，其整體呈蘑菇形狀，其中，上表面B用于放置硅片，表面A作為支撐面安裝在腔室上，并起到密封作用，工藝過程中加熱基座和腔室間沒有相對運動。加熱基座包括與蘑菇頭對應的加熱頭和加熱頭下方設置的套筒狀支撐件，其中，加熱頭包括疊置的加熱上板2-1、加熱中板2-2、加熱下板2-3和加熱絲2-4，圖中2-5是熱電偶，2-6是加熱基座支撐件，2-7是冷卻水通道，2-8是加熱絲2-4的電源線，通過冷鍛和加熱絲2-4相連。加熱上板2-1、加熱中板2-2、加熱下板2-3疊置后焊接成一整體。支撐件2-6與加熱下板2-3焊接固定，熱電偶2-5的連接線、電源線2-8、冷卻水通道2-7均從支撐件2-6的中間通孔中引出。加熱基座工作時，冷卻水關閉，加熱絲2-4發熱使整個加熱基座升溫，熱電偶2-5監測加熱基座的溫度。加熱基座達到設定溫度時，熱電偶2-5反饋信號到溫度控制器，停止加熱，并開始保溫。

上述加熱基座因焊接連接成一整體，不僅加工成本高，而且，其內的鎧裝加熱絲一旦損壞，將無法維修而只能更換整個加熱基座。另外，加熱基座內只設置一根加熱絲，加熱基座溫度均勻性不可調，只能適用于一種工藝條件，使用范圍小。

實用新型內容

針對現有技術存在的問題，本實用新型的目的是提供一種新型結構的加熱基座，該加熱基座內的加熱絲能夠更換，延長了使用壽命。

為實現上述目的，本實用新型技術方案如下：

一種加熱基座，所述加熱基座包括：

疊置在一起的加熱上板、加熱中板，所述加熱上板與所述加熱中板可拆卸連接；

加熱絲，所述加熱絲設置在所述加熱上板和所述加熱中板之間。

進一步，所述加熱上板與所述加熱中板通過螺釘可拆卸連接。

進一步，所述加熱上板下表面上設置有安裝槽，所述加熱絲設置于所述安裝槽內。

進一步，所述加熱上板的下表面上通過所述安裝槽排布有兩根或兩根以上所述加熱絲，各所述加熱絲分別在外部電源的控制下工作。

進一步，所述加熱基座還包括與所述加熱中板的下表面相貼合固定的加熱下板，所述加熱下板的下表面上設置有支撐件。

進一步，所述支撐件為下端封閉、上端開口的筒狀，所述支撐件的上端與所述下板的下表面相固定，所述支撐件的下端穿設固定有電源引入件，所述加熱絲的連接線與所述電源引入件的里側端可拆卸連接，所述電源引入件的外側端與外部電源相接。

進一步，所述電源引入件包括金屬外殼、陶瓷絕緣層和電極，所述陶瓷絕緣層位于所述電極和所述金屬外殼之間，使所述電極和所述金屬外殼絕緣。

進一步，所述加熱下板上表面設置有冷卻水槽，所述加熱下板通過與所述加熱中板相貼合，使所述冷卻水槽形成密閉的冷卻水道；所述冷卻水道與水管相連通，所述水管穿過所述支撐件后向外引出。

進一步，所述加熱上板上連接有用于檢測所述加熱基座溫度的熱電偶，所述熱電偶的連接線穿過所述支撐件后向外引出。

進一步，所述加熱絲為鎧裝加熱絲。

本實用新型的有益效果為：

本實用新型將加熱上板與加熱中板可拆卸連接，方便了加熱絲的維修和更換，延長了加熱器的使用壽命。

本實用新型通過在安裝槽中設置兩根或兩根以上加熱絲，各加熱絲電熱絲各自在外部電源的控制下工作，為對加熱基座溫度的精細控制和提高加熱器的溫度均勻性創造了條件。

本實用新型通過在電極和金屬外殼之間設置陶瓷絕緣層，使電極和金屬外殼絕緣，從而保證了加熱絲電連接線的絕緣效果。