[實用新型]TO-220封裝框架

有效

• 申請號: 201520245747.3
• 申請日: 2015-04-21
• 公開（公告）號: CN204651309U
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 諸建周;談益民
• 申請（專利權）人: 無錫羅姆半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 楊明

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種適應雙臺面的雙向可控硅封裝要求的TO-220封裝框架。

背景技術

半導體封裝技術中，在交流控制電機線路中所用到的高壓雙向可控硅因其工作的特殊性對正反向電壓要求較高，一般要求其內部的電壓保證900V～1000V以上，因其高的電壓值對于普通封裝框架的雙向可控硅是達不到的，所以產生了雙臺面結構的雙向可控硅，雙臺面結構的雙向可控硅內部耐壓值大于1000V。

目前，現有的TO-220封裝框架，如圖1所示，將雙臺面結構的雙向可控硅芯片直接焊接在銅基板2上，由于多余的焊料會上翻到芯片上，影響芯片的內壓，產品成品率低。

有鑒于上述的缺陷，本設計人，積極加以研究創新，以期創設一種TO-220封裝框架，使其更具有產業上的利用價值。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型的目的是提供一種產品成品率高的TO-220封裝框架。

本實用新型的TO-220封裝框架，包括框架本體，框架本體上設有作為芯片組裝區域的銅基板，銅基板上設有一凸于其平面的梯形臺面。

進一步的，所述梯形臺面的底部面積略大于其頂部面積。

進一步的，所述梯形臺面的橫截面為正方形。

進一步的，所述梯形臺面的斜截面與所述銅基板的平面的夾角為10°-20°。

進一步的，所述梯形臺面與所述銅基板一體成型。

借由上述方案，本實用新型至少具有以下優點：本實用新型的TO-220封裝框架，由于在作為芯片組裝區域的銅基板上方設有一梯形臺面，封裝雙臺面結?構的雙向可控硅芯片時，雙臺面結構的可控硅芯片通過高溫焊料焊接在梯形臺面上時，多余的焊料會通過梯形臺面流到銅基板上面，不會上翻到芯片的臺面上，保障了芯片的內壓，產品的成品率高。

上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

附圖說明

圖1是現有的TO-220封裝框架的結構示意圖；

圖2是本實用新型的TO-220封裝框架的結構示意圖；

圖3是本實用新型的TO-220封裝框架的側面組裝示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

參見圖2，本實用新型一較佳實施例所述的一種TO-220封裝框架，包括框架本體1，框架本體1具有雙臺面的雙向可控硅芯片組裝區域，該組裝區域為一銅基板2，銅基板2的上方沖壓成型出一個凸于銅基板平面的銅制梯形臺面3，梯形臺面3與銅基板的平面的夾角為10°-20°。

作為優選，所述梯形臺面3的橫截面為正方形，其底部面積略大于頂部面積，底部邊長為3.0mm，頂部邊長為2.7mm，高為0.2mm，其斜截面與銅基板2的平面的夾角為15°。

參見圖3，封裝雙臺面結構的雙向可控硅芯片4時，將該芯片4通過高溫焊料焊接在梯形臺面3上，多余的焊料5會從梯形臺面3的斜面流到銅基板2上，不會上翻到芯片4上，保障了芯片4的內壓，產品的成本率高。

本實用新型的TO-220封裝框架，封裝雙臺面結構的雙向可控硅芯片時，采用常規的生產工藝和材料即可組裝，工藝步驟簡單，成本低，工作效率高；芯片焊接在梯形臺面上，多余的焊料會從梯形臺面的截面流到銅基板上，焊接時，多余的焊料不會影響芯片的內壓，產品的成品率高。

以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，并不用于限制本實用新型，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本實用新型的保護范圍。