[實用新型]一種雙芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201520236059.0
• 申請日: 2015-04-20
• 公開（公告）號: CN204538022U
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 高潮;黃素娟
• 申請（專利權）人: 揚州江新電子有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 董旭東

技術領域

本實用新型屬于芯片封裝領域，具體涉及一種雙芯片封裝結構。

背景技術

“封裝技術”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。對于芯片而言，封裝十分重要，一方面因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電性能下降；另一方面，封裝后的芯片更便于安裝和運輸。封裝技術的好壞直接影響到芯片自身性能的發揮和與之連接的PCB（印制電路板）的設計和制造，因此它是至關重要的。

現有技術中，有一種雙芯片封裝體，包括一引線框架，所述引線框架表面并列設置?MOS?晶體管芯片和集成電路控制芯片，所述?MOS?晶體管芯片與所述引線框架之間通過焊料層粘接在一起，所述焊料層靠近所述?MOS?晶體管芯片一側的表面為一預制的平面，以防止?MOS?晶體管芯片發生傾斜，所述集成電路控制芯片與所述引線框架之間通過導電銀漿層粘接在一起。其不足之處在于，該裝置中的MOS晶體管芯片的厚度要大于集成電路控制芯片的厚度，而封裝完成后的塑封體上表面要求高出芯片上表面一定的高度，才能對芯片起到安放、固定、密封保護的作用，因此以MOS晶體管的厚度計算，導致塑封體的厚度較厚，從散熱性能考慮，不利于引線框架上芯片的散熱，容易導致芯片故障，電路短路，最終影響集成電路的使用壽命。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種雙芯片封裝結構，使得封裝完成后塑封體的厚度更薄，更加利于芯片的散熱。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種雙芯片封裝結構，包括引線框架，所述引線框架的表面并列設置有晶體管芯片和集成電路控制芯片，所述集成電路控制芯片通過導電銀漿層與所述引線框架粘接固定，所述引線框架的表面安裝晶體管芯片的位置設有一凹槽，凹槽內填充有用于固定粘接所述晶體管芯片的焊料，所述晶體管芯片的下側與凹槽內的焊料固定粘接，所述晶體管芯片的上表面與所述集成電路控制芯片的上表面位于同一平面內。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：通過在引線框架上設置凹槽，將粘接晶體管芯片用的焊料焊進凹槽中，降低了晶體管芯片在豎直方向的高度，使得晶體管芯片的上表面與集成電路控制芯片的上表面位于同一平面內，以集成電路控制芯片的上表面高度計算，加上塑封體上表面要求高出芯片上表面的高度，得到的塑封體的厚度更薄，更加利于芯片散熱，避免局部過熱影響電路工作；保證晶體管芯片和集成電路控制芯片的上表面位于同一平面，使得塑封體更好地保護晶體管芯片和集成電路控制芯片，更好地緩沖外界對芯片的沖擊。

作為本實用新型的進一步改進，所述引線框架的晶體管表面分布有用于保護晶體管芯片的焊料，引線框架表面上的焊料厚度小于晶體管芯片的高度，并將晶體管芯片的下半部分包裹在其中。引線框架表面上的焊料包裹住晶體管芯片的下半部分，增大了晶體管芯片的強度，緩沖由于塑封體內引線框架、芯片和包封材料的熱膨脹系數不同產生的擠壓應力對晶體管芯片的擠壓，晶體管芯片的上半部分不與焊料接觸，其發熱產生的熱量更加容易傳遞出去。

作為本實用新型的進一步改進，所述集成電路控制芯片部分嵌入導電銀漿層中。該技術方案增大了集成電路控制芯片的抗擠壓強度，緩沖由于塑封體內引線框架、芯片和包封材料的熱膨脹系數不同產生的擠壓應力對集成電路控制芯片的擠壓。

作為本實用新型的優選，所述焊料成分采用鉛錫合金。鉛和錫的導熱性均較好，晶體管芯片發熱產生的熱量更加容易經焊料傳遞出去，進一步提高了散熱性能。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

其中，?1引線框架，2晶體管芯片，3集成電路控制芯片，4導電銀漿層，5焊料，6塑封體。

具體實施方式

如圖1所示，為本實用新型的一種雙芯片封裝結構，包括引線框架1，引線框架1的表面并列設置有晶體管芯片2和集成電路控制芯片3，集成電路控制芯片3通過導電銀漿層4與引線框架1粘接固定，引線框架1的表面安裝晶體管芯片2的位置設有一凹槽，凹槽內填充有用于固定粘接晶體管芯片2的焊料5，晶體管芯片2的下側與凹槽內的焊料5固定粘接，晶體管芯片2的上表面與集成電路控制芯片3的上表面位于同一平面內。為了緩沖塑封體6內引線框架1、芯片和包封材料的熱膨脹系數不同產生的擠壓應力對晶體管芯片2和集成電路控制芯片3的擠壓，引線框架1的表面分布有用于保護晶體管芯片2的焊料5，引線框架1表面上的焊料5厚度小于晶體管芯片2的高度，并將晶體管芯片2的下半部分包裹在其中；集成電路控制芯片3部分嵌入導電銀漿層4中；焊料5成分采用鉛錫合金。