[實用新型]一種中大功率LED驅動芯片的ESOP8引線框架有效
| 申請號: | 201520235434.X | 申請日: | 2015-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN204596842U | 公開(公告)日: | 2015-08-26 |
| 發明(設計)人: | 姜喆;姜英偉 | 申請(專利權)人: | 廣州華微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 鄭瑩 |
| 地址: | 510730 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 led 驅動 芯片 esop8 引線 框架 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體器件領域,尤其是一種中大功率LED驅動芯片的ESOP8引線框架。
背景技術
SOP8的封裝是一種非常普及的小型貼片式形式,它被目前的半導體芯片封裝所普遍采用。目前基于SOP8封裝形式且內置有一個MOSFET芯片的LED驅動芯片均采用雙基島的設計方案,其一基島的上方放置一個控制芯片,另一個基島上放置一個MOSFET芯片,如圖1所示。相對于小功率的LED驅動芯片,中大功率的LED驅動芯片就需要在基島上使用一個帶有更大導通電流的MOSFET芯片。當LED驅動芯片在工作時,由于其上大導通電流的MOSFET芯片存在,因此產生的熱能會較多,但由于SOP8的體積和封裝結構的限制,其所產生的熱能無法迅速地散入周圍的空氣中,容易造成器件的表面溫度超過業界的要求溫度(在室溫的條件下,業界要求的封裝體表面溫升不得大于60℃)。面對這個問題,目前幾乎所有的廠家都采用了最簡單的辦法,就是直接選擇體積更大DIP8的封裝形式來解決這個問題,如圖2所示。但是與SOP8封裝形式相比,DIP8具有高成本、低生產效率以及應用在PCB板上無法小型化的顯著缺點。目前也有人提出了使用ESOP8封裝結構來解決散熱的問題,如圖3(a)和3(b)所示。但是目前所有的ESOP8的設計都是單基島設計,無法在一個基島上放置兩個芯片(控制芯片和MOSFET芯片)。盡管人們也做了許多嘗試,如采用非導電的固化膠來固定控制芯片,但是由于目前材料的局限性,ESOP8封裝方式仍無法實現在一個基島上同時放置兩種芯片的方案。
實用新型內容
為了解決上述技術問題,本實用新型的目的是:提供一種成本低、體積小、能同時放置兩種芯片和散熱性能好的,中大功率LED驅動芯片的ESOP8引線框架。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種中大功率LED驅動芯片的ESOP8引線框架,包括引腳、側連筋、用于承載控制芯片的第一基島和用于承載MOSFET芯片的第二基島,所述第一基島的一側通過側連筋)與框架外部連接體相連作為第一基島的一個支撐點,所述第一基島的另一側直接與1個引腳相連結作為第一基島的另外一個支撐點;所述第二基島的一側通過側連筋與框架外部連接體相連作為第二基島的一個支撐點,所述第一基島的另一側直接與兩個引腳相連結作為第二基島的另外一個支撐點;所述第一基島的高度高于第二基島的高度。
進一步,所述第一基島的寬度尺寸小于第二基島的寬度尺寸。
進一步,所述第一基島寬度尺寸的范圍為0.8-1.2mm,所述第二基島寬度尺寸的范圍為2-2.5mm。
進一步,所述引腳和第一基島均設置有塑封鎖孔5,所述塑封鎖孔位于引腳和第一基島的遠腳端。
進一步,還包括塑封鎖定溝槽,所述塑封鎖定溝槽位于塑封后裸露的第二基島的背面。
進一步,所述塑封鎖定溝槽的塑封深度在框架厚度的三分之一到二分之一的范圍內。
進一步,所述MOSFET芯片為VDMOSFET芯片或COOLMOSFET芯片。
本實用新型的有益效果是:繼承了SOP8封裝結構成本低和體積小的優點,并在傳統ESOP8封裝結構的基礎上,把現有的1個裸露基島改為第一基島和第二基島這兩個高度不同的獨立基島,使獨立基島的數量由1個變為2個,解決了ESOP8封裝結構無法同時放置兩種芯片的問題;第一基島的高度高于第二基島的高度,即用于承載MOSFET芯片的第二基島高度較低,使第二基島的底部在封裝后露在固化塑封材料的外部,以令MOSFET芯片工作產生的熱量可以直接傳入空氣中,避免了LED驅動芯片的整體溫度上升,散熱性能較好。進一步,第一基島的寬度尺寸小于第二基島的寬度尺寸,增加了第二基島最大承載的MOSFET芯片尺寸,適用范圍廣。進一步,引腳和第一基島的遠腳端均設置有的塑封鎖孔,能在塑封固化后將引腳和第一基島牢牢鎖住,避免了在封裝的切筋成型工序中,因成型模具異常產生額外的拉拔力造成引腳或第一基島的表面與塑封料之間產生分層。進一步,還包括位于第二基島背面的塑封鎖定溝槽,使塑封料與第二基島在第二基島的底部邊緣形成勾鎖式連接,保證了塑封料與第二基島間的連接強度,降低了第二基島側面與塑封體分離的幾率。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
圖1為典型LED驅動芯片SOP8封裝形式的框架;
圖2為SOP8封裝形式與DIP8封裝形式的關鍵尺寸對比圖;
圖3(a)為ESOP8封裝引線框架的示意圖;
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