[實用新型]一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520235434.X | 申請日： | 2015-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN204596842U | 公開（公告）日： | 2015-08-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 姜喆;姜英偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州華微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 鄭瑩 |
| 地址： | 510730 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 大功率 led 驅(qū)動 芯片 esop8 引線 框架 | ||
1.一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：包括引腳（1）、側(cè)連筋（4）、用于承載控制芯片的第一基島（2）和用于承載MOSFET芯片的第二基島（3），所述第一基島（2）的一側(cè)通過側(cè)連筋（4）與框架外部連接體相連作為第一基島（2）的一個支撐點，所述第一基島（2）的另一側(cè)直接與1個引腳（1）相連結(jié)作為第一基島（2）的另外一個支撐點；所述第二基島（3）的一側(cè)通過側(cè)連筋（4）與框架外部連接體相連作為第二基島（3）的一個支撐點，所述第一基島（2）的另一側(cè)直接與兩個引腳（1）相連結(jié)作為第二基島（3）的另外一個支撐點；所述第一基島（2）的高度高于第二基島（3）的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：所述第一基島（2）的寬度尺寸小于第二基島（3）的寬度尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：所述第一基島（2）寬度尺寸的范圍為0.8-1.2mm，所述第二基島（3）寬度尺寸的范圍為2-2.5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：所述引腳（1）和第一基島（2）均設置有塑封鎖孔（5），所述塑封鎖孔（5）位于引腳（1）和第一基島（2）的遠腳端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：還包括塑封鎖定溝槽（6），所述塑封鎖定溝槽（6）位于塑封后裸露的第二基島（3）的背面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：所述塑封鎖定溝槽（6）的塑封深度在框架厚度的三分之一到二分之一的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的一種中大功率LED驅(qū)動芯片的ESOP8引線框架，其特征在于：所述MOSFET芯片為VDMOSFET芯片或COOLMOSFET芯片。
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