[實(shí)用新型]集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520231806.1
• 申請日: 2015-04-16
• 公開（公告）號: CN204516738U
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 端木魯玉;張俊德;宋青林
• 申請（專利權(quán)）人: 歌爾聲學(xué)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/552;B81B7/02
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平;黃錦陽

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

集成傳感器是一種內(nèi)部集成了多個(gè)傳感器單元的傳感器芯片(例如由壓力傳感器單元和溫度傳感器單元集成的集成傳感器)，并且作為一個(gè)能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)多種傳感功能的獨(dú)立的芯片進(jìn)行使用。目前集成傳感器的封裝一般是將其各個(gè)傳感器單元的MEMS傳感器芯片和ASIC芯片貼裝于基板上，最終封裝在一個(gè)腔體內(nèi)進(jìn)行集成，例如圖1和圖2所示：外殼2覆蓋在第一基板1上圍成一個(gè)大的腔體，腔體內(nèi)設(shè)置有貼裝在第一基板1上的兩個(gè)傳感器單元。其中一個(gè)傳感器單元包括MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5，兩者之間通過引線4電連接，AISC芯片5通過引線連接至第一基板1。另一個(gè)傳感器單元包括MEMS傳感器芯片8和ASIC芯片7，兩者之間同樣通過引線電連接，AISC芯片7通過引線連接至第一基板1。外殼2設(shè)有傳感器單元傳感所需的開口6，第一基板1的背面設(shè)有焊盤9，傳感器單元通過焊盤9與外部電路電連接。

現(xiàn)有集成傳感器的這種封裝方式是將集成傳感器的全部傳感器單元封裝在一個(gè)腔體內(nèi)，對于其中某些容易受到干擾的ASIC芯片，其它傳感器單元會對其造成電、磁、熱、光的干擾，嚴(yán)重影響該傳感器單元的性能和集成傳感器的整體性能。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種在集成傳感器中屏蔽某些ASIC芯片以防止其受到其它傳感器單元的干擾的新的技術(shù)方案。

本實(shí)用新型提出了一種集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一基板和第一外殼，所述第一外殼與所述第一基板圍成第一封裝腔體；設(shè)置在所述第一封裝腔體內(nèi)的多個(gè)傳感器，每個(gè)所述傳感器均包括MEMS傳感器芯片和與所述MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片；在所述第一封裝腔體的內(nèi)部，至少一個(gè)所述傳感器的ASIC芯片的外部設(shè)有屏蔽結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括包裹ASIC芯片電連接部分的絕緣膠和完全覆蓋ASIC芯片的導(dǎo)電膠屏蔽罩。

優(yōu)選的，設(shè)有屏蔽結(jié)構(gòu)的ASIC芯片在其底部與所述第一基板上的電路電連接，并且通過所述第一基板上的電路分別與其對應(yīng)的MEMS傳感器芯片和外部電路電連接。

優(yōu)選的，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于ASIC芯片外部的第二外殼，所述第二外殼和所述第一基板圍成第二封裝腔體以將ASIC芯片隔離的封裝在所述第二封裝腔體內(nèi)部。

優(yōu)選的，多個(gè)所述傳感器中的敏感傳感器的ASIC芯片的外部設(shè)有所述屏蔽結(jié)構(gòu)，或者為干擾源的傳感器的ASIC芯片的外部設(shè)有所述屏蔽結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，多個(gè)所述傳感器包括壓力傳感器、麥克風(fēng)、以及濕度傳感器；其中，所述麥克風(fēng)的ASIC芯片和所述濕度傳感器的ASIC芯片的外部分別設(shè)有所述屏蔽結(jié)構(gòu)，或者所述壓力傳感器的ASIC芯片的外部設(shè)有所述屏蔽結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述傳感器直接設(shè)置于所述第一基板上或者通過第二基板設(shè)置于所述第一基板上。

本實(shí)用新型通過對集成傳感器中的容易受到干擾的ASIC芯片的外部設(shè)置屏蔽結(jié)構(gòu)，使其與其它傳感器單元隔離封裝，避免集成傳感器中的其它傳感器單元對其影響干擾，有效提升了該傳感器單元的性能和集成傳感器的整體性能。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

圖1、2是現(xiàn)有集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3、4是本實(shí)用新型集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本實(shí)用新型集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本實(shí)用新型集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本實(shí)用新型集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的制造工序的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。

以下對至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。