[實用新型]集成傳感器的封裝結構

有效

• 申請號: 201520231806.1
• 申請日: 2015-04-16
• 公開（公告）號: CN204516738U
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 端木魯玉;張俊德;宋青林
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/552;B81B7/02
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平;黃錦陽

1.一種集成傳感器的封裝結構，其特征在于，包括：

第一基板和第一外殼，所述第一外殼與所述第一基板圍成第一封裝腔體；

設置在所述第一封裝腔體內的多個傳感器，每個所述傳感器均包括MEMS傳感器芯片和與所述MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片；

在所述第一封裝腔體的內部，至少一個所述傳感器的ASIC芯片的外部設有屏蔽結構。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述屏蔽結構包括包裹ASIC芯片電連接部分的絕緣膠和完全覆蓋ASIC芯片的導電膠屏蔽罩。

3.根據權利要求2所述的結構，其特征在于，設有屏蔽結構的ASIC芯片在其底部與所述第一基板上的電路電連接，并且通過所述第一基板上的電路分別與其對應的MEMS傳感器芯片和外部電路電連接。

4.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述屏蔽結構包括設置于ASIC芯片外部的第二外殼，所述第二外殼和所述第一基板圍成第二封裝腔體以將ASIC芯片隔離的封裝在所述第二封裝腔體內部。

5.根據權利要求1-4任一項所述的結構，其特征在于，多個所述傳感器中的敏感傳感器的ASIC芯片的外部設有所述屏蔽結構，或者為干擾源的傳感器的ASIC芯片的外部設有所述屏蔽結構。

6.根據權利要求1-4任一項所述的結構，其特征在于，多個所述傳感器包括壓力傳感器、麥克風、以及濕度傳感器；其中，所述麥克風的ASIC芯片和所述濕度傳感器的ASIC芯片的外部分別設有所述屏蔽結構，或者所述壓力傳感器的ASIC芯片的外部設有所述屏蔽結構。

7.根據權利要求1-4任一項所述的結構，其特征在于，所述傳感器直接設置于所述第一基板上或者通過第二基板設置于所述第一基板上。