[實用新型]一種可提高靶材利用率的靶座

有效

• 申請號: 201520217063.2
• 申請日: 2015-04-13
• 公開（公告）號: CN204550699U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 劉林;檀玉珩
• 申請（專利權）人: 山東禹城漢能薄膜太陽能有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 郭禾苗

技術領域

本實用新型屬于真空鍍膜技術領域，涉及一種靶座，特別涉及一種可提高靶材利用率的靶座。

背景技術

在太陽能電池中，薄膜電池具有更強的弱光效應，廉價的制備材料，更佳的視覺效果及易于大規模連續化生產等優點，在光伏建筑一體化（BIPV）中具有廣闊的發展前景。對于Si基薄膜電池來說，背電極的導電性能及膜層結構在整個電池的工藝中處于一個非常重要的地位，Si基薄膜電池背電極利用磁控濺射技術（magnetron?sputtering，簡稱PVD）制備，在濺射過程中，高能粒子撞擊具有高純度的靶材固體平板，通過物理過程撞擊出原子，這些被撞擊出來的原子穿過真空，最后沉積在芯片上。

現有工藝中常用的濺射靶材（可簡稱靶材）一般為平面長方形結構，且靶材表面為光滑的平面結構。當該靶材被多次使用之后，其表面將不再是平整的結構，而是形成了一個環狀的凹坑，這是由于濺射過程中高能粒子撞擊靶材表面的角度、頻率及能量等有所不同而導致。

上述凹坑繼續被高能粒子撞擊時，將可能導致靶材被擊穿，從而影響濺射結果，因此，需要及時更換已經形成有較深凹坑的靶材。而何時更換靶材，怎么才能更大限度的利用靶材，如何才能最大利用靶材。理論來說在靶材被擊穿的瞬間才是靶材利用最大的時間，但如何準確預測靶材被擊穿。即使對靶材的消耗有了明確的計算也會因為各種因素的不確定性而造成更換靶材時，靶材沒有實現最大利用。

發明內容

本實用新型要解決的技術問題是如何克服現有技術的上述缺陷，提供一種一種可提高靶材利用率的靶座。

本實用新型是通過以下技術方案實現的：

本一種可提高靶材利用率的靶座，包括：

靶材；

導電膜層，位于靶材下方；

靶材背板，其上表面設置導電膜層；

靶材冷卻層，設于靶材背板下方；

靶材磁場層，設于靶材冷卻層下方；

靶材基座，設于靶材磁場層下方；

陶瓷組件，包括陶瓷組件正極、陶瓷組件負極和陶瓷密封焊接件，所述陶瓷組件正極和陶瓷組件負極貫穿靶材背板、靶材冷卻層、靶材磁場層、靶材基座設置，所述導電膜層和靶材背板通過陶瓷密封焊接件連接。

作為優化，所述導電膜層包括三層結構，分別為由下至上的第一層導電膜、第二層絕緣膜和第三層導電膜。

作為優化，所述第一層導電膜通過鍍膜工藝鍍在該靶材背板上，所述第二層絕緣膜通過鍍膜工藝鍍在第一層導電膜上，所述第三層導電膜通過鍍膜工藝鍍在第二層絕緣膜上。

作為優化，所述第一層導電膜沉積到陶瓷組件正極上，第二層絕緣膜沉積至陶瓷密封件絕緣層上，第三層導電膜沉積至陶瓷組件負極上。

本實用新型一種可提高靶材利用率的靶座的有益效果是：

本一種可提高靶材利用率的靶座，在濺射過程中，當靶材被擊穿的瞬間，就可以做出斷電反應，停止濺射進行；進而可提高該靶材的使用壽命。當該靶材使用壽命耗盡的時候，靶材上所剩的材料也不是太多，從而避免了靶材材料的浪費，節約了成本，實現靶材利用的最大值。具有較好的實際應用價值和推廣價值。

附圖說明

下面結合附圖對本一種可提高靶材利用率的靶座作進一步說明：

圖1是本一種可提高靶材利用率的靶座的主視結構示意圖；

圖2是本一種可提高靶材利用率的靶座的俯視結構示意圖；

圖3是本一種可提高靶材利用率的靶座的左視結構示意圖；

圖4是本一種可提高靶材利用率的靶座的陶瓷組件結構示意圖；

圖5是本一種可提高靶材利用率的靶座的導電膜層和陶瓷組件連接結構示意圖。

圖中：1為靶材、2為導電膜層、2.1為第一層導電膜、2.2為第二層絕緣膜、2.3為第三層導電膜、3為靶材背板、4為靶材冷卻層、5為靶材磁場層、6為靶材基座、7為陶瓷組件、7.1為陶瓷組件正極、7.2為陶瓷組件負極、7.3為陶瓷密封焊接件、8為印刷柵極、9為極靴、10為磁鋼。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下參照附圖并舉實施例，對本實用新型進一步詳細說明。

如圖1-圖5所示，本一種可提高靶材利用率的靶座，包括：

靶材1；

導電膜層2，位于靶材1下方，；

靶材背板3，其上表面設置導電膜層2；

靶材冷卻層4，設于靶材背板3下方；

靶材磁場層5，設于靶材冷卻層4下方；

靶材基座6，設于靶材磁場層5下方；