[實用新型]一種可提高靶材利用率的靶座有效
| 申請號： | 201520217063.2 | 申請日： | 2015-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN204550699U | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發明（設計）人： | 劉林;檀玉珩 | 申請（專利權）人： | 山東禹城漢能薄膜太陽能有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 郭禾苗 |
| 地址： | 251200 山東省德州*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 利用率 | ||
【權利要求書】：
1.一種可提高靶材利用率的靶座，其特征在于，包括：
靶材；
導電膜層，位于靶材下方；
靶材背板，其上表面設置導電膜層；
靶材冷卻層，設于靶材背板下方；
靶材磁場層，設于靶材冷卻層下方；
靶材基座，設于靶材磁場層下方；
陶瓷組件，包括陶瓷組件正極、陶瓷組件負極和陶瓷密封焊接件，所述陶瓷組件正極和陶瓷組件負極貫穿靶材背板、靶材冷卻層、靶材磁場層、靶材基座設置，所述導電膜層和靶材背板通過陶瓷密封焊接件連接。
2.如權利要求1所述的一種可提高靶材利用率的靶座，其特征在于：所述導電膜層包括三層結構，分別為由下至上的第一層導電膜、第二層絕緣膜和第三層導電膜。
3.如權利要求2所述的一種可提高靶材利用率的靶座，其特征在于：所述第一層導電膜通過鍍膜工藝鍍在該靶材背板上，所述第二層絕緣膜通過鍍膜工藝鍍在第一層導電膜上，所述第三層導電膜通過鍍膜工藝鍍在第二層絕緣膜上。
4.如權利要求3所述的一種可提高靶材利用率的靶座，其特征在于：所述第一層導電膜沉積到陶瓷組件正極上，第二層絕緣膜沉積至陶瓷密封件絕緣層上，第三層導電膜沉積至陶瓷組件負極上。
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