[實(shí)用新型]多晶硅還原爐的絕緣套筒

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520196908.4
• 申請日: 2015-04-02
• 公開（公告）號: CN204625194U
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李剛
• 申請（專利權(quán)）人: 新德隆特種陶瓷（大連）有限公司
• 主分類號: C01B33/03
• 分類號: C01B33/03
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種絕緣套筒，特別是指一種多晶硅還原爐的絕緣套筒。

背景技術(shù)

多晶硅還原爐的主要技術(shù)是三氯氫硅還原法，生產(chǎn)過程中工藝氣體被硅芯電機(jī)加熱至1100℃左右，使三氯氫硅與氫氣反應(yīng)生成多晶硅并沉積在硅芯電機(jī)表面，形成硅棒。而硅芯電極的工作電壓在15000V左右，如此高溫高壓的條件下，對硅芯電極的要求非常高。目前采用的硅芯電極主要包括電極體、加熱石墨頭硅芯及電極座，電極座，其中電極座與電極體之間通過絕緣套筒進(jìn)行絕緣。現(xiàn)有的絕緣套筒通常為聚四氟乙烯絕緣套筒，由于還原爐內(nèi)溫度非常高，雖然通過設(shè)備底盤對電極座進(jìn)行冷卻，但聚四氟乙烯絕緣套筒所處環(huán)境的溫度仍然很高，在長時間運(yùn)行后容易失效，造成電極座與電極體之間擊穿，導(dǎo)致生產(chǎn)事故。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提出一種多晶硅還原爐的絕緣套筒，解決了現(xiàn)有技術(shù)中絕緣套筒容易失效而導(dǎo)致電極座與電極體之間擊穿等問題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種絕緣套筒，用于套設(shè)在一多晶硅還原爐的電極體上，并位于該多晶硅還原爐的電機(jī)座內(nèi)，該絕緣套筒包括絕緣筒體、連接設(shè)于該絕緣筒體中部的絕緣盤及連接設(shè)于該絕緣筒體頂端的絕緣頂緣，所述絕緣盤包括由該絕緣筒體中部的外周緣向外水平延伸的內(nèi)環(huán)及由該內(nèi)環(huán)的邊緣向下垂直延伸的外環(huán)，在絕緣套筒設(shè)于還原爐上時，所述絕緣筒體與絕緣盤及還原爐的底盤之間形成封閉空間，所述絕緣套筒為氮化硅絕緣套筒。

優(yōu)選方案為，所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)連接處的內(nèi)外兩側(cè)分別形成圓弧形的倒角。

優(yōu)選方案為，所述絕緣筒體與絕緣盤及還原爐的底盤圍成一封閉空間。

優(yōu)選方案為，所述絕緣頂緣由絕緣筒體頂端的外周緣向外水平延伸。

優(yōu)選方案為，所述絕緣頂緣外周緣的最大邊界小于該絕緣盤的最大邊界。

優(yōu)選方案為，所述絕緣盤的底端與還原爐的電極座之間還設(shè)有彈性墊圈。

本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型中的絕緣套筒為氮化硅絕緣套筒，不會與氫氣、氯化氫、氯化硅等氣體反應(yīng)，穩(wěn)定性好，能起到隔熱、防腐、耐高溫效果；在組裝時，所述絕緣筒體與絕緣盤及還原爐的底盤圍成一封閉空間，以降低內(nèi)硅棒輻射熱及高溫氣流對絕緣套筒的燒毀而被擊穿現(xiàn)象的發(fā)生。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型多晶硅還原爐的絕緣套筒的剖視圖；

圖2為圖1中絕緣套筒的倒置后的立體圖。

圖中：

100、絕緣套筒；10、絕緣筒體；20、絕緣盤；30、絕緣頂緣；11、內(nèi)孔；21、內(nèi)環(huán)；22、外環(huán)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1及圖2所示，該絕緣套筒100用于套設(shè)在一多晶硅還原爐的電極體上，并位于該多晶硅還原爐的電機(jī)座內(nèi)。該絕緣套筒100包括絕緣筒體10、連?接設(shè)于該絕緣筒體10中部的絕緣盤20及連接設(shè)于該絕緣筒體10頂端的絕緣頂緣30。該絕緣套筒100為氮化硅絕緣套筒，所述絕緣筒體10、絕緣盤20及絕緣頂緣30為一體式結(jié)構(gòu)。

所述絕緣筒體10為圓筒狀，其內(nèi)孔11由上向下均勻延伸，即各處孔徑相等。該絕緣筒體內(nèi)徑為35-55mm，外徑為60-120mm。該絕緣筒體熱導(dǎo)率為20-25W/m·k，能夠耐1400℃左右的高溫，且耐腐蝕。

所述絕緣盤20連接設(shè)于該絕緣筒體10的外周緣的中部，其包括與絕緣筒體10連接的內(nèi)環(huán)21及與該內(nèi)環(huán)21連接的外環(huán)22。所述內(nèi)環(huán)21由該絕緣筒體10中部的外周緣向外水平延伸，所述外環(huán)22由該內(nèi)環(huán)21的邊緣向下垂直延伸。所述內(nèi)環(huán)21與外環(huán)22連接處的內(nèi)外兩側(cè)分別形成圓弧形的倒角。組裝時，所述絕緣筒體10與絕緣盤20及還原爐的底盤圍成一封閉空間，以降低內(nèi)硅棒輻射熱及高溫氣流對絕緣套筒的燒毀。在絕緣盤20的底端與還原爐的電極座之間還設(shè)有彈性墊圈(圖未示)，從而可以增強(qiáng)絕緣套筒100與電極座之間裝配的緊密度，且有效降低硅棒生長和移除對硅芯電極的影響。