[實用新型]一種用高溫測試晶體管異常的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520196036.1
• 申請日: 2015-04-02
• 公開（公告）號: CN204558425U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳長貴
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州海天半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 田欣欣;李雪花

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于一種測試晶體管異常的設(shè)備，具體涉及一種用高溫測試晶體管異常的裝置。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體晶體管的品質(zhì)、穩(wěn)定性在產(chǎn)品應(yīng)用過程中是非常重要的。晶體管生產(chǎn)過程中由于設(shè)備等原因造成的虛焊、鍵洞等異常，在生產(chǎn)測試階段未被剔除，而造成客戶產(chǎn)品運(yùn)行出現(xiàn)異常，出現(xiàn)失效。為了杜絕隱患的發(fā)生，提高成品品質(zhì)，從而對生產(chǎn)過程中的異常批次增加高溫測試，以剔除不良品，來保證產(chǎn)品的品質(zhì)。半導(dǎo)體器件在不同的工作問題下的形態(tài)是不一樣的，要使所需的半導(dǎo)體器件在客戶處更加穩(wěn)定，適應(yīng)各種環(huán)境，測試分選是一個重要環(huán)節(jié)，其中高溫測試是對異常批次的加嚴(yán)測試，以便使半導(dǎo)體器件能夠早期失效，以免發(fā)往客戶處再出現(xiàn)異常情況。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種用高溫測試晶體管異常的裝置，以解決上述技術(shù)中存在的不足。

為了達(dá)到上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案為：

一種用高溫測試晶體管異常的裝置，是由震盤、測試導(dǎo)軌、加熱棒、溫控儀、連接導(dǎo)線、斜管、組合箱、傳動箱、轉(zhuǎn)動軸、工作臺、底座和支架組成，所述的支架連接底座的兩端，工作臺連接支架上方，組合箱連接底座上方，轉(zhuǎn)動軸連接組合箱與工作臺，斜管連接轉(zhuǎn)動軸，溫控儀連接工作臺右邊，震盤連接溫控儀上方，測試導(dǎo)軌的一端連接震盤，另一端連接加熱棒，加熱棒的右側(cè)連接傳動箱，加熱棒通過連接導(dǎo)線與溫控儀連接。

所述的斜管與轉(zhuǎn)動軸的夾角為30度。

所述的加熱棒采用恒定功率600W。

所述的組合箱內(nèi)部劃分了多個與晶體管大小相匹配的放置格，每個放置格內(nèi)部均設(shè)置有海綿墊。

本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，技術(shù)合理。可以大大減少因半導(dǎo)體器件存在的隱患而造成的客戶反饋退貨等問題，減少企業(yè)的運(yùn)行成本，大大提高了產(chǎn)品的品質(zhì)，同時也提高了公司的生產(chǎn)效率，節(jié)省了運(yùn)行成本。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，一種用高溫測試晶體管異常的裝置，是由震盤1、測試導(dǎo)軌2、加熱棒3、溫控儀4、連接導(dǎo)線5、斜管6、組合箱7、傳動箱8、轉(zhuǎn)動軸9、工作臺10、底座11和支架12組成，所述的支架12連接底座11的兩端，工作臺10連接支架12上方，組合箱7連接底座11上方，轉(zhuǎn)動軸9連接組合箱7與工作臺10，斜管6連接轉(zhuǎn)動軸9，溫控儀4連接工作臺10右邊，震盤1連接溫控儀4上方，測試導(dǎo)軌2的一端連接震盤1，另一端連接加熱棒3，加熱棒3的右側(cè)連接傳動箱8，加熱棒3通過連接導(dǎo)線5與溫控儀4連接，所述的斜管6與轉(zhuǎn)動軸9的夾角為30度，所述的加熱棒3采用恒定功率600W，所述的組合箱7內(nèi)部劃分了多個與晶體管大小相匹配的放置格，每個放置格內(nèi)部均設(shè)置有海綿墊。

使用時，將加熱棒3套在傳動箱8上，以便可以固定與保護(hù)加熱棒3，降低因員工誤操作造成的損害，通過震盤1將晶體管一個個的運(yùn)送到測試導(dǎo)軌2上，晶體管將測試導(dǎo)軌2全部排滿后，用加熱棒3對測試導(dǎo)軌2上的晶體管進(jìn)行加熱，加熱棒3與溫控儀4連接，通過溫控儀4控制晶體管的溫度能夠到達(dá)150±5度左右，通過研究晶體管產(chǎn)品的特性，正常良品常溫22℃下VFBE要比150℃的VFBE大，即正向壓降是隨溫度升高而下降。通過對比150℃時的VFBE值，可以判斷此產(chǎn)品是否存在虛焊，晶體管加熱測試后通過斜管6放入所在的組合箱7內(nèi)的放置格內(nèi)。