[實(shí)用新型]一種用于磁控濺射鍍膜設(shè)備的傳送機(jī)臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520171004.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204608151U | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡遠(yuǎn)遠(yuǎn);李靜益 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江長(zhǎng)興漢能光伏有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 湖州金衛(wèi)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 趙衛(wèi)康 |
| 地址: | 313100 浙江省湖州*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 磁控濺射 鍍膜 設(shè)備 傳送 機(jī)臺(tái) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
????本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種用于磁控濺射鍍膜設(shè)備的傳送機(jī)臺(tái)。
背景技術(shù)
磁控濺射鍍膜設(shè)備是把磁控原理與普通濺射技術(shù)相結(jié)合利用磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡,將離子引向欲被濺射的物質(zhì)制成的靶電極(陰極),并將靶材原子濺射出來使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到襯底并最終在襯底上沉積成膜,使得鍍膜厚度及均勻性可控,且制備的薄膜致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度高。磁控濺射鍍膜設(shè)備已成為制備太陽(yáng)能薄膜電池的重要設(shè)備,在太陽(yáng)能薄膜電池生產(chǎn)過程中,芯片經(jīng)由傳動(dòng)輪進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部,完成鍍膜后通過傳送機(jī)構(gòu)繼續(xù)流入下工序,例如:申請(qǐng)?zhí)?01120348080.1所述的一種硅片傳送機(jī)構(gòu),包括連接傳送帶、至少三個(gè)支撐件、至少三個(gè)皮帶輪,其中,所述連接傳送帶由所述皮帶輪托起,在所述皮帶輪的帶動(dòng)下傳送硅片,所述支撐件與所述皮帶輪相連,所述支撐件用于支撐所述連接傳送帶的平衡,其缺點(diǎn)在于該傳送機(jī)構(gòu)在輸送芯片時(shí)容易傾斜發(fā)生便宜碰撞,使芯片發(fā)生形變或破損。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型目的之一是為了克服技術(shù)的不足,提供了一種能夠在傳送過程中保護(hù)芯片并校正芯片傳動(dòng)方向的用于磁控濺射鍍膜設(shè)備的傳送機(jī)臺(tái)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種用于磁控濺射鍍膜設(shè)備的傳送機(jī)臺(tái),所述傳送機(jī)臺(tái)設(shè)置在磁控濺射鍍膜設(shè)備的出料口,包括傳送裝置,所述傳送裝置包括機(jī)架和設(shè)置在機(jī)架上的傳動(dòng)部件,所述傳送裝置的兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)向裝置,所述導(dǎo)向裝置位于傳送裝置的上方,所述導(dǎo)向裝置包括導(dǎo)向部件和用于安裝導(dǎo)向部件的導(dǎo)向架,所述導(dǎo)向架連接有緩沖裝置,所述緩沖裝置包括固定在機(jī)架上的支架、通過支架支撐在傳送裝置上方的緩沖架以及設(shè)置在緩沖架和導(dǎo)向架之間的緩沖部件。
本實(shí)用新型通過在傳動(dòng)裝置的兩側(cè)設(shè)置導(dǎo)向裝置,運(yùn)送芯片時(shí)芯片在導(dǎo)向裝置的導(dǎo)向作用下順利地運(yùn)送到下一工序,防止芯片走偏,同時(shí)導(dǎo)向裝置連接有緩沖裝置,當(dāng)芯片走偏與導(dǎo)向裝置碰撞時(shí),產(chǎn)生的沖擊力由緩沖裝置進(jìn)行吸收,起到緩沖作用,保護(hù)芯片不被損壞,同時(shí)緩沖裝置將沖擊力轉(zhuǎn)換為彈性勢(shì)能,反彈給芯片,修正芯片的移動(dòng)方向。
作為優(yōu)選,所述導(dǎo)向部件包括導(dǎo)輪、轉(zhuǎn)軸和頂緊塊,所述導(dǎo)輪轉(zhuǎn)動(dòng)連接在轉(zhuǎn)軸上,所述頂緊塊與轉(zhuǎn)軸螺紋配合連接,所述轉(zhuǎn)軸的端部設(shè)有卡接塊,導(dǎo)向架上設(shè)有卡槽,所述卡接塊卡接在卡槽內(nèi),卡槽上設(shè)有阻擋卡接塊移出卡槽的擋邊,所述轉(zhuǎn)軸通過旋轉(zhuǎn)頂緊塊使頂緊塊和卡接塊壓住擋邊固定在導(dǎo)向架上。
此結(jié)構(gòu)可以方便將導(dǎo)向部件的安裝、拆卸以及調(diào)整導(dǎo)向部件之間的間距,只需將卡接塊卡接在卡槽內(nèi)約束轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng),通過旋緊頂緊塊使卡接塊和頂緊塊夾緊卡槽的擋邊,從而固定導(dǎo)向部件在導(dǎo)向架上的位置。
作為優(yōu)選,所述導(dǎo)向架上設(shè)有導(dǎo)桿,所述緩沖架上設(shè)有與所述導(dǎo)桿配合的導(dǎo)孔。
作為優(yōu)選,所述緩沖部件為彈簧或彈性片,能夠吸收芯片的沖擊力防止芯片破碎,并將沖擊力轉(zhuǎn)換為彈性勢(shì)能,通過反作用力來修正芯片的移動(dòng)方向。
作為優(yōu)選,所述傳動(dòng)部件包括傳動(dòng)軸和套設(shè)在傳動(dòng)軸上的傳動(dòng)輪,所述傳動(dòng)輪間隔設(shè)置在傳動(dòng)軸上。
作為優(yōu)選,所述傳動(dòng)輪設(shè)有將傳動(dòng)輪套接在傳動(dòng)軸上的套接部,所述套接部上設(shè)有定位件。
作為優(yōu)選,所述傳動(dòng)輪輪面設(shè)有緩沖圈,減輕運(yùn)送過程中芯片振動(dòng),降低噪音。
作為優(yōu)選,所述傳動(dòng)輪上設(shè)有輪槽,所述緩沖圈卡接在輪槽內(nèi)。
作為優(yōu)選,所述傳送機(jī)臺(tái)上還設(shè)有距離控制裝置,所述距離控制裝置用于控制位于傳送裝置兩側(cè)的導(dǎo)向架之間的間距,根據(jù)不同芯片寬度隨時(shí)調(diào)整導(dǎo)向架的間距,使導(dǎo)向架與芯片保持一個(gè)適宜的間距,在保證芯片順利運(yùn)送的情況下減少偏移量,減小沖擊力。
本實(shí)用新型具有如下有益效果:本實(shí)用新型能夠順利地將芯片運(yùn)送到下一工序,防止芯片走偏,當(dāng)芯片走偏與導(dǎo)向裝置碰撞時(shí),產(chǎn)生的沖擊力由緩沖裝置進(jìn)行吸收,起到緩沖作用,保護(hù)芯片不被損壞,同時(shí)緩沖裝置將沖擊力轉(zhuǎn)換為彈性勢(shì)能反彈給芯片,修正芯片的移動(dòng)方向。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的側(cè)視圖;
圖3為圖1中A處的局部放大圖;
圖4為圖2中B處的局部放大圖;
圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中導(dǎo)向裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例中傳動(dòng)輪的結(jié)構(gòu)示意圖;
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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