[實用新型]可產生均流氣簾屏障的裝置有效
| 申請號: | 201520168793.8 | 申請日: | 2015-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN204596758U | 公開(公告)日: | 2015-08-26 |
| 發明(設計)人: | 胡石政 | 申請(專利權)人: | 國立臺北科技大學 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海宏威知識產權代理有限公司 31250 | 代理人: | 袁輝 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 產生 流氣 屏障 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種可產生均流氣簾屏障的裝置,尤指一種裝設于晶圓傳送盒與微環境連接的開口上且內部設有透氣板的裝置,使充填至裝置內的氣流可藉由該透氣板建立內部壓阻,經整流后產生一均流氣簾屏障以阻擋外氣侵入該晶圓傳送盒。
背景技術
半導體制造過程皆是在高潔凈度的無塵室空間中進行,但要使整個廠房都處于高潔凈度環境將會耗費極高的成本,而晶圓(wafer)是一種生產積體電路所用的高精密度半導體材料,其表面必需保持高潔凈度,不可接觸水氣、微?;蚱渌麣鈶B分子污染物,因此晶圓在各個制程設備上需儲存于晶圓傳送盒(FOUP)內,使晶圓傳送盒內的晶圓不被微粒及化學污染物的污染。晶圓傳送盒主要作為晶圓儲存及傳輸之用,但晶圓傳送盒內的空氣仍存有對晶圓的危害性,其解決方法是在該晶圓傳送盒內充填潔凈干空氣(Clean?Dry?Air)或干燥的高純度氮氣使盒內形成正壓力,以避免外部氣體進入盒內并防止晶圓表面不會與空氣中的水氣、微?;驓鈶B分子污染物(AMC)接觸而影響其良率。
前述晶圓傳送盒(FOUP)為一具有開口的盒子,其內設有數層容置晶圓的平行支撐板,該晶圓傳送盒系存放于微環境中,但當其內的晶圓需要取出時,微環境中潔凈度等級較低的濕空氣仍可能侵入晶圓傳送盒內,造成晶圓表面交叉污染而影響其品質良率。為了降低取出晶圓時,外部空氣侵入晶圓傳送盒而污染晶圓的機率,目前已發展出如圖1所示的裝置。該專利是一種裝設于晶圓傳送盒與微環境連接的開口上的流場塑形器,其主要是由第一外殼A、支架B及第二外殼C所組成,其中該第一外殼A及第二外殼C為一長條體,長度略長于晶圓傳送盒與微環境連接的開口,其上方分別設有相對應的鎖固孔A1C1,該鎖固孔A1C1下方的內表面上則分別設有相對應的凹槽A2C2,在第一外殼的凹槽A2中設有數個貫穿至外部的氣孔A3,第二外殼的凹槽C2下方則設有一相互平行的整流槽C3;支架B是一與第一及第二外殼AC等長ㄇ字型薄片,其上設有與第一及第二外殼上的鎖固孔A1C1相對應的穿孔B1,當ㄇ型支架B藉由螺栓鎖固于第一及第二外殼AC之間時,該第一及第二外殼相對應的凹槽A2C2形成一空間,下緣之間則形成一與支架厚度等寬之間隙D,如圖1所示。當氣體由第一外殼的氣孔A3充填至兩外殼內表面凹槽A2C2所形成的空間,并經由整流槽C3整流后,由間隙D排出而在晶圓傳送盒與微環境連接的開口處形成一氣簾屏障,以降低外氣在取出晶圓時侵入該晶圓傳送盒的機率。
上述揭示的流場塑形器雖可產生氣簾屏障,但并未達到預期的效果,其有如下的缺點:
1氣體充填至兩外殼凹槽所形成的空間后,直接由下緣間隙開口排出,其雖設置整流槽但沒有明顯整流效果,氣流會往阻抗較小的地方流動,造成出風量有些地方大有些地方小導致裝置出風不平均,無法形成均流氣簾屏障。
2在兩外殼之間夾合一支架以構成出風間隙,其出風口寬度取決于支架厚度約介于0.05mm至3mm之間,出風寬度小導致形成的氣簾屏障容易散開,無法吹送至晶圓傳送盒底層,間接影響阻擋外氣侵入該晶圓傳送盒的效果。
3裝置兩側未裝設擋板且出風間隙外緣兩側形成斜角,可能導致外氣由裝置左右兩側或出風口處卷入至晶圓傳送盒內部造成污染。
緣此,本實用新型人深感目前藉由產生氣簾屏障以降低外氣侵入晶圓傳送盒的相關裝置,仍存有氣簾屏障出風不平均及外氣可能侵入等缺失,乃積多年來從事于該項產品設計制造上的經驗,不斷研思改進,實用新型出一種能產生均流氣簾屏障的裝置。
實用新型內容
本實用新型的可產生均流氣簾屏障的裝置的主要設計目的是提供一種可產生均流氣簾屏障的裝置,該裝置其裝設于晶圓傳送盒與微環境連接的開口處,該裝置主要由兩外殼、數透氣板及兩擋板所組成,其中該兩外殼可結合成一底部具有開口的長條形殼體,透氣板裝設于殼體內表面凹槽中固定,擋板則裝設于殼體兩側用以阻擋外氣由裝置兩側流入晶圓傳送盒內部。當潔凈干空氣或氮氣由殼體頂端的進氣口充填至殼體內部時,由于透氣板的孔隙極小,氣流受到阻力而在裝置內部建立壓阻,直至內部壓力高到一定程度時,氣體整流后會通過透氣板孔隙由殼體下方出風口向下排出產生一道均勻的氣簾屏障以阻隔外氣進入該晶圓傳送盒內部。
附圖說明
圖1為現有流場塑形器的實用新型專利的剖面示意圖。
圖2為本實用新型裝設于晶圓傳送盒與微環境連接的開口處的立體示意圖。
圖3為本實用新型可產生均流氣簾屏障的裝置的立體組合圖。
圖4為本實用新型可產生均流氣簾屏障的裝置的立體分解圖。
圖5為本實用新型產生均流氣簾屏障的氣流方向的剖面示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





