[實用新型]基于氧化物的紫外光敏傳感器有效
| 申請號: | 201520145456.7 | 申請日: | 2015-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN204516781U | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 郭也平;徐傳毅;王珊 | 申請(專利權)人: | 納米新能源(唐山)有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/036 | 分類號: | H01L31/036;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276 | 代理人: | 宋菲;劉云貴 |
| 地址: | 063000 河北省唐山市*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 氧化物 紫外 光敏 傳感器 | ||
技術領域
本實用新型涉及紫外光敏傳感器領域,更具體地說,涉及一種基于氧化物的紫外光敏傳感器。
背景技術
紫外光敏傳感器是一種探測紫外光輻照的光電器件,被廣泛應用在環境監測和保護,導彈發射探測,紫外光通訊,生物醫學研究,以及天文學等領域。傳統的紫外光敏傳感器用真空管或者單晶硅等感光材料和濾波片組成,但是,這種傳感器探測波長的選擇性不好,且靈敏度不高。因此,給其應用帶來了極大的局限性。
為了解決上述問題,人們經過不斷的科學探索,發現寬禁帶半導體材料具有優良的光電轉換特性,是極有應用價值的紫外光電子器件材料,其中的氧化物材料具有尤為突出的紫外光響應性能,因此,基于氧化物的紫外光敏傳感器應運而生。
但是,現有的紫外光敏傳感器中的氧化物大多采用水熱生長法和氣相沉積法等常規的生長方法進行制備,這些方法不僅存在工藝復雜、對環境和設備要求高、成本高昂、一致性較差、不適用大規模生產的問題,同時還存在制備出的氧化物對紫外光的靈敏度低的問題,這就事必導致了現有技術中基于氧化物的紫外光敏傳感器也會出現上述同樣的問題。因此,現有技術中缺少一種制備工藝簡單、成本低廉,且靈敏度高的紫外光敏傳感器。
實用新型內容
本實用新型的發明目的是針對現有技術的缺陷,提供了一種基于氧化物的紫外光敏傳感器,用于解決現有技術中的紫外光敏傳感器制作工藝復雜、成本高昂及靈敏度低的問題。
本實用新型的一個方面提供一種基于氧化物的紫外光敏傳感器,包括:基底、氧化物涂層、第一電極和第二電極;其中,
氧化物涂層形成在基底上,用于探測紫外光;
第一電極和第二電極相互不接觸,作為基于氧化物的紫外光敏傳感器的電信號輸出端。
進一步地,基底為透明基底。
進一步地,透明基底為石英玻璃基底。
進一步地,氧化物涂層直接涂覆在基底上,第一電極和第二電極設置于氧化物涂層不與基底接觸的表面上。
進一步地,氧化物涂層具有多孔型納米晶體結構;其中,多孔型納米晶體結構的孔隙率為30%至40%。
進一步地,氧化物涂層為氧化鋅涂層、二氧化錫涂層、二氧化鈦涂層或五氧化二鈮涂層。
進一步地,第一電極和第二電極均為叉指電極。
本實用新型的另一個方面提供一種基于氧化物的紫外光敏傳感器,包括:基底、第一電極、氧化物涂層和第二電極;其中,
第一電極形成在基底上;
氧化物涂層形成在第一電極上,用于探測紫外光;
第一電極包括使紫外光透過的第一照射區域,第一電極和第二電極相互不接觸,作為基于氧化物的紫外光敏傳感器的電信號輸出端。
進一步地,基底為透明基底。
進一步地,透明基底為石英玻璃基底。
進一步地,第一電極整體為第一照射區域,氧化物涂層直接涂覆在第一電極的第一照射區域上,第二電極設置于氧化物涂層不與基底和第一電極接觸的表面上。
進一步地,第一電極還包括不使紫外光透過的第二照射區域,氧化物涂層直接涂敷在第一電極的第一照射區域和第二照射區域上,第二電極設置于氧化物涂層不與基底和第一電極接觸的表面上。
進一步地,氧化物涂層為氧化鋅涂層、二氧化錫涂層、二氧化鈦涂層或五氧化二鈮涂層。
進一步地,氧化物涂層具有多孔型納米晶體結構;其中,多孔型納米晶體結構的孔隙率為30%至40%。
本實用新型公開了一種基于氧化物的紫外光敏傳感器,具體介紹了基于氧化物的紫外光敏傳感器,通過在基底或電極上采用溶膠-凝膠法制備氧化物涂層,簡化了紫外光敏傳感器的制備工藝,使該基于氧化物的紫外光敏傳感器具有制備工藝簡單、易于控制、成本低廉、可大規模生產的優勢;同時,該氧化物涂層具有多孔型納米晶體結構,進一步提高了紫外光敏傳感器的靈敏度。
附圖說明
圖1為本實用新型提供的基于氧化物的紫外光敏傳感器的第一種具體實施方式的結構示意圖;
圖2為本實用新型提供的不透明基底的俯視示意圖;
圖3為本實用新型提供的基于氧化物的紫外光敏傳感器的第二種具體實施方式的結構示意圖;
圖4為本實用新型提供的第一電極的俯視示意圖;
圖5為本實用新型提供的基于氧化物的紫外光敏傳感器的第一種具體實施方式的封裝示意圖;
圖6為本實用新型提供的基于氧化物的紫外光敏傳感器的第二種具體實施方式的封裝示意圖。
具體實施方式
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





