[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測(cè)量?jī)x有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520133796.8 | 申請(qǐng)日： | 2015-03-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN204666118U | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 表基弘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 阿博株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G01B21/08 | 分類號(hào)： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 蘇雪雪 |
| 地址： | 韓國(guó)忠清南道牙*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 金屬 厚度 測(cè)量?jī)x | ||
1.一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測(cè)量?jī)x，其特征在于，包括：
下部支座(30)，其沿著豎直框架(10)升降；
上部加壓臺(tái)(50)，其在所述下部支座(30)的上部，沿著豎直框架(10)進(jìn)行升降；
測(cè)量部(60)，其包括下部接觸尖端(P1)和上部接觸尖端(P2)，測(cè)量所述下部接觸尖端(P1)上端與上部接觸尖端(P2)下端之間的距離；
如果被測(cè)量體位于所述下部支座(30)與上部加壓臺(tái)(50)之間，那么，下部接觸尖端(P1)與上部接觸尖端(P2)接觸被測(cè)量體的上下面，測(cè)量部(60)測(cè)量距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測(cè)量?jī)x，其特征在于，還包括：
豎直框架(10)，其在下部的底座(B)上向上直立地形成；
第1下部升降塊(20)，其位于所述豎直框架(10)的下部前方，借助于第1空壓驅(qū)動(dòng)部(21)而沿第1導(dǎo)軌(R1)升降；
所述下部支座(30)上形成有下部接觸尖端通過(guò)槽(30a)，所述下部支座(30)加裝于所述第1下部升降塊(20)的前方，支撐所述被測(cè)量體(S)的下面；
第2上部升降塊(40)，其位于所述豎直框架(10)的上部前方，借助于第2空壓驅(qū)動(dòng)部(41)而沿第2導(dǎo)軌升降,所述第2導(dǎo)軌豎直設(shè)置于豎直框架(10)上；
上部加壓臺(tái)(50)，其形成有上部接觸尖端通過(guò)槽(50a)，加裝于所述第2上部升降塊(40)的前方，加壓把持所述被測(cè)量體(S)的上面；
第2豎直框架(15)，其在所述底座(B)上向上直立地形成，
第3導(dǎo)軌(R3)，其豎直設(shè)置于第2豎直框架(15)上；
測(cè)量部升降塊(70)，其在搭載所述測(cè)量部(60)的狀態(tài)下，借助于第3空壓驅(qū)動(dòng)部(71)而沿著第3導(dǎo)軌(R3)升降；
上部接觸尖端升降部(80)，其由固定于所述測(cè)量部升降塊(70)并與所述測(cè)量部升降塊(70)一同一體移動(dòng)的第4空壓驅(qū)動(dòng)部(81)、借助于所述第4空壓驅(qū)動(dòng)部(81)而升降并使所述上部接觸尖端(P2)升降的上部接觸尖端把持部(85)構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測(cè)量?jī)x，其特征在于，
還包括使被測(cè)量體(S)位于所述下部支座(30)的上面與所述上部加壓臺(tái)(50)下面之間的三自由度移送部(90)；
所述三自由度移送部(90)包括：
橫向軌(91-R)，其橫向安裝于所述底座(B)上；
橫向往復(fù)塊(91-B)，其沿所述橫向軌(91-R)橫向移動(dòng)；
縱向軌(93-R)，其在所述橫向往復(fù)塊(91-B)的上面并與橫向垂直地安裝；
縱向往復(fù)塊(93-B)，其沿所述縱向軌(93-R)縱向移動(dòng)；
旋轉(zhuǎn)支撐件(95-R)，其利用軸承(B1)可旋轉(zhuǎn)地直立向上安裝于縱向往復(fù)塊(93-B)上；
被測(cè)量體支撐板(95-B)，其搭載于所述旋轉(zhuǎn)支撐件(95-R)的上部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測(cè)量?jī)x，其特征在于，
所述豎直框架(10)與第2豎直框架(15)相互平行地在底座(B)上向上直立地形成且所述第2豎直框架(15)位于所述豎直框架(10)后方；
所述測(cè)量部升降塊(70)包括：
豎直主體部(70a)，其沿第2豎直框架(15)升降；
下部接觸尖端安放部(70b)，其經(jīng)過(guò)所述豎直框架(10)和第1下部升降塊通過(guò)槽(20a)，從所述豎直主體部(70a)的下部向前方凸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測(cè)量?jī)x，其特征在于，
在所述豎直框架(10)或第2豎直框架(15)之一上，向前方形成有支撐棱(14)；
所述支撐棱(14)和下部接觸尖端安放部(70b)的下部之間設(shè)置為下部接觸尖端安放部(70b)提供復(fù)原力的復(fù)原彈簧(S1)。
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