[實用新型]一種超大功率COB集成白光LED封裝結構

有效

• 申請號: 201520125081.8
• 申請日: 2015-03-04
• 公開（公告）號: CN204497266U
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 葉尚輝;陳明秦;張數江;張國鋒
• 申請（專利權）人: 福建中科芯源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種白光LED，特別涉及一種超大功率COB集成白光LED封裝結構。

背景技術

現有滿足照明級光通量要求的LED白光技術路線中，通常由集成COB芯片組和熒光粉膠共同構成白光光源。所采用的LED芯片多是正裝芯片組，熒光粉膠往往直接貼附在集成LED芯片組上，由于集成LED芯片組工作時發熱量較大，往往伴隨著熒光粉膠熱老化、受激光譜效率下降及激發光譜發生紅移等系列問題，影響了出光的光品質。

另外，目前芯片間串并聯及芯片模組外電連時通過金屬線打線工藝進行，不但影響了光源出光面的出光效率，且工作點亮時是以藍寶石襯底作為主要的熱流疏導通道，其較差的導熱性大大限制了芯片集成的規模，使得光源模組的亮度難以進一步提升。

發明內容

本實用新型要解決的技術問題，在于提供一種超大功率COB集成白光LED封裝結構，提升了出光品質和導熱性，并能實現超高亮度白光。

本實用新型是這樣實現的：一種超大功率COB集成白光LED封裝結構，包括基板和至少一LED芯片組，所述基板正面開設有與LED芯片組數量對應的凹腔，任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組，并以COB方式鍵合在對應凹腔的底部，所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實現電連接，且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。

進一步的，所述LED芯片組是通過底部焊點與凹腔底部共晶鍵合。

進一步的，所述凹腔為矩陣排布，且處于同一排的凹腔中段貫通連接形成長凹腔，貫通部分由所述填充膠灌充，所述封裝結構的正、負極位于所述長凹腔的正面兩端。

進一步的，所述基板為銅基板、氮化鋁基板、類鉆炭基板或石墨烯基板。

進一步的，所述透明陶瓷熒光片為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。

本實用新型的優點在于：

1.采用倒裝芯片替代傳統正裝芯片，提升LED芯片組的熱疏導能力，實現無金線封裝，免除金線帶入的不利影響；

2.用透明陶瓷熒光片替代傳統的熒光粉膠，提升了大功率光源模組出光的光品質；

3.LED芯片組隨凹腔為矩陣排布，可實現大電流驅動，可用于制備500-1000W級的超大功率光源模組，滿足場地照明等超大功率的照明需求。

附圖說明

下面參照附圖結合實施例對本實用新型作進一步的說明。

圖1是本實用新型基板的立體結構示意圖。

圖2是本實用新型倒裝LED芯片組的立體結構示意圖。

圖3是本實用新型鍵合有倒裝LED芯片組的基板的結構示意圖。

圖4是本實用新型透明陶瓷熒光片的立體結構示意圖。

圖5是本實用新型倒裝LED芯片組上封裝有透明陶瓷熒光片的結構示意圖。

圖6是本實用新型超大功率COB集成白光LED封裝結構的整體結構示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1至圖6所示，本實用新型的超大功率COB集成白光LED封裝結構，包括基板1和至少一LED芯片組2。

所述基板1正面開設有與LED芯片組2數量對應的凹腔12，任一所述LED芯片組2為倒裝LED芯片組，并以COB方式鍵合在對應凹腔12的底部，所述LED芯片組2是通過底部焊點與凹腔12底部共晶鍵合。采用倒裝芯片替代傳統正裝芯片，提升LED芯片組的熱疏導能力。

主要如圖1所示，所述基板1上的凹腔12為矩陣排布，且處于同一排的凹腔12中段貫通連接形成長凹腔，如圖6所示，貫通部分最后會由所述填充膠3灌充，所述封裝結構的正極13、負極14位于所述長凹腔12的正面兩端。凹腔12的數量及排布決定了LED芯片組2的數量及排布，而如圖2所示，所述LED芯片組2內的芯片也以矩陣式排布，該矩陣排布的凹腔12為實現超大功率光源模組提供基礎，可實現大電流驅動，可用于制備500-1000W級的超大功率光源模組，滿足場地照明等超大功率的照明需求。

其中，所述基板1有多種選擇，如可以為銅基板、氮化鋁基板、類鉆炭基板或石墨烯基板。

如圖6所示，所述各LED芯片組2之間及LED芯片組2與外電路之間通過銅片4實現電連接，實現無金線封裝，免除金線帶入的不利影響，提升了出光品質和導熱性；且每個LED芯片組2上均灌充填充膠3并蓋封透明陶瓷熒光片5，即填膠部分不但包含陣列LED芯片組與陶瓷片之間空間，還包含芯片焊點與凹腔底部鍵合后的剩余空隙，以及各凹腔之間的空隙。