[實(shí)用新型]電壓采樣裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520118175.2
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN204422635U
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文建
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州寬福科技有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及采樣技術(shù)，尤其涉及到電壓采樣裝置。

背景技術(shù)

對輸入電壓進(jìn)行采樣并保持，設(shè)置了電壓采樣裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在提供一種能對電壓進(jìn)行采樣保持的裝置。

電壓采樣裝置，包括比較器、電流源I、第一NMOS管、第一電容、第二NMOS管、第三NMOS管、第二電容和運(yùn)算放大器：

所述比較器的正輸入端接輸入信號VIN，負(fù)輸入端接所述第一NMOS管的源極和所述第一電容的一端，輸出端接所述第一NMOS管的柵極；

所述電流源I的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏極；

所述第一NMOS管的柵極接所述比較器的輸出，漏極接所述電流源I的一端，源極接所述比較器的負(fù)輸入端和所述第一電容的一端；

所述第一電容的一端接所述第一NMOS管的源極和所述比較器的負(fù)輸入端，另一端接地；

所述比較器、電流源I、第一NMOS管和所述第一電容構(gòu)成了輸入電壓采樣電路，當(dāng)所述比較器的正輸入端VIN的電壓大于負(fù)輸入端時(shí)，輸出為高電平，所述第一NMOS管導(dǎo)通，所述電流源I對所述第一電容進(jìn)行充電，使得電容電壓達(dá)到所述比較器的正輸入端VIN的電壓時(shí)，所述第一NMOS管關(guān)閉，不再對所述第一電容進(jìn)行充電，這時(shí)電容上的電壓等于輸入電壓VIN；

所述第二NMOS管的柵極接控制端CR，漏極接所述第一電容的一端和所述第一NMOS管的源極和所述比較器的負(fù)輸入端和所述第三NMOS管的漏極，控制端CR為清零控制信號；

當(dāng)控制端CR為高電平時(shí)，所述第二NMOS管導(dǎo)通，使得所述第一電容上的電荷通過所述第二NMOS管流到地，也即是對所述第一電容進(jìn)行清零處理；

所述第三NMOS管的柵極接控制端HD，漏極接所述第一NMOS管的源極和所述比較器的負(fù)輸入端和所述第一電容的一端和所述第二NMOS管的漏極，源極接所述第二電容的一端和所述運(yùn)算放大器的正輸入端，控制端HD為電壓保持控制信號；

所述第二電容的一端接所述第三NMOS管的源極和所述運(yùn)算放大器的正輸入端，另一端接地；

當(dāng)控制端HD為高電平時(shí)，所述第一電容上采樣的電壓傳遞到所述第二電容直到等于輸入電壓VIN；

所述運(yùn)算放大器的正輸入端接所述第三NMOS管的源極和所述第二電容的一端，負(fù)輸入端和輸出端接在一起構(gòu)成跟隨器。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的電壓采樣裝置的電路圖。

圖2為本實(shí)用新型的保持控制信號和清零控制信號的時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型內(nèi)容進(jìn)一步說明。

電壓采樣裝置，如圖1所示，包括比較器101、電流源I、第一NMOS管102、第一電容103、第二NMOS管104、第三NMOS管105、第二電容106和運(yùn)算放大器107：

所述比較器101的正輸入端接輸入信號VIN，負(fù)輸入端接所述第一NMOS管102的源極和所述第一電容103的一端，輸出端接所述第一NMOS管102的柵極；

所述電流源I的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NMOS管102的漏極；

所述第一NMOS管102的柵極接所述比較器101的輸出，漏極接所述電流源I的一端，源極接所述比較器101的負(fù)輸入端和所述第一電容103的一端；

所述第一電容103的一端接所述第一NMOS管102的源極和所述比較器101的負(fù)輸入端，另一端接地；

所述比較器101、電流源I、第一NMOS管102和所述第一電容103構(gòu)成了輸入電壓采樣電路，當(dāng)所述比較器101的正輸入端VIN的電壓大于負(fù)輸入端時(shí)，輸出為高電平，所述第一NMOS管102導(dǎo)通，所述電流源I對所述第一電容103進(jìn)行充電，使得電容電壓達(dá)到所述比較器101的正輸入端VIN的電壓時(shí)，所述第一NMOS管102關(guān)閉，不再對所述第一電容103進(jìn)行充電，這時(shí)電容上的電壓等于輸入電壓VIN；

所述第二NMOS管104的柵極接控制端CR，漏極接所述第一電容103的一端和所述第一NMOS管102的源極和所述比較器101的負(fù)輸入端和所述第三NMOS管105的漏極，控制端CR為清零控制信號；

當(dāng)控制端CR為高電平時(shí)，所述第二NMOS管104導(dǎo)通，使得所述第一電容103上的電荷通過所述第二NMOS管104流到地，也即是對所述第一電容103進(jìn)行清零處理；