[實用新型]電壓采樣裝置有效
| 申請號： | 201520118175.2 | 申請日： | 2015-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN204422635U | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發明（設計）人： | 王文建 | 申請（專利權）人： | 杭州寬福科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電壓 采樣 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.電壓采樣裝置，其特征在于包括比較器、電流源I、第一NMOS管、第一電容、第二NMOS管、第三NMOS管、第二電容和運算放大器：
所述比較器的正輸入端接輸入信號VIN，負輸入端接所述第一NMOS管的源極和所述第一電容的一端，輸出端接所述第一NMOS管的柵極；
所述電流源I的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏極；
所述第一NMOS管的柵極接所述比較器的輸出，漏極接所述電流源I的一端，源極接所述比較器的負輸入端和所述第一電容的一端；
所述第一電容的一端接所述第一NMOS管的源極和所述比較器的負輸入端，另一端接地；
所述第二NMOS管的柵極接控制端CR，漏極接所述第一電容的一端和所述第一NMOS管的源極和所述比較器的負輸入端和所述第三NMOS管的漏極，控制端CR為清零控制信號；
所述第三NMOS管的柵極接控制端HD，漏極接所述第一NMOS管的源極和所述比較器的負輸入端和所述第一電容的一端和所述第二NMOS管的漏極，源極接所述第二電容的一端和所述運算放大器的正輸入端，控制端HD為電壓保持控制信號；
所述第二電容的一端接所述第三NMOS管的源極和所述運算放大器的正輸入端，另一端接地；
所述運算放大器的正輸入端接所述第三NMOS管的源極和所述第二電容的一端，負輸入端和輸出端接在一起構成跟隨器。
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